Ֆիզիկայի ֆակուլտետ
Faculty of Physics
The process of training specialists in the field of physics and mathematics began in 1922 in YSU.:
>
Lyova N. Grigoryan

Associate Professor | Academician Victor Ambardzoumyan's Chair of General Physics and Astrophysics
Education
Higher, 1976-1981 Faculty of Radio physics YSU, Radio physics and electronics, Moscow Institute of Radio Physics and Electronics.

Academic degree
Candidate of phys. Math., Study of electrical and optical properties and application Si-SiO2 composite films in micro electronics, 1989, Moscow Institute of Radio Physics and Electronics, Associate Professor

Professional experience
1981-2014 YSU, Associate Professor

Academic courses
Electricity and magnetism, mechanics, optics.

Scale of professional interests
Semiconductor thin films, production and optical properties of semiconductor nanostructures

Participation in grant projects
Semiconductor nano electronics` republic project

Languages
Russian, English

Исследование поведение структурных дефектов в нанокристаллах CdSexS1-x
2017 | Article
Журнал технической физики (Technical Physics). 2017, т.87, вып.3, стр. 443-447
|
Մագնիսական երևույթներ և օպտիկա
2015 | Book
Մեթոդական ձեռնարկի էլեկտրոնային տարբերակ

Նախատեսվում է ներկայացնել ԵՊՀ հրատարակչություն
|
Invesigation of the behavior of point defekts in CdSSe semiconductor nanocrystals
2015 | Thesis
Semiconductor micro-and nanoelectronics proceedings of the tenth international conference, 2015, 22-24 pp.
|
The nature of optical transition in the CdSxSe1-x semiconductor nanocristals
2015 | Thesis
Semiconductor micro-and nanoelectronics proceedings of the tenth international conference, 2015, p. 118-119
|
Effect of Random Potential on the Optical Properties of the CdSxSe1–x Semiconductor Nanocrystals
2015 | Article
Technical Physics, 2015, 60, 724-729 pp.
|
Study of optical absorption spectra of quantum size CdSe1-xSx crystals embedded in silicate glass
2013 | Article
Semiconductor mikro-and nanoelectronics,proceedings of the ninth international conference ,Yerevan,may24-26, 2013, pp129-130
Исследование температурной зависимости спектров пропускания силикатныõ стекол, содержащиõ полупроводниковые CdSe1-xSx нанокристаллы
2011 | Article
ЖТФ,т.81,в.11,ст.100-105,2011
L. Grigoryan , P. Petrosyan , Н. Petrosyan , V. Bellani
Spectral dependence of the optical absorption temperature coefficient of CdSe1-xSx nanocrystals embeded in silicate glass
2008 | Article
Optics Communications, 281, 5838-5841, 2008
L. Grigoryan , P. Petrosyan , M. Ghulinyan, H. Petrosyan
Spectral dependence of the photoluminescence of CdSe1-xSx nanocrystals embeded in silicate glass
2007 | Article
Semiconductor mikro - and nanoelectronics, proceedings of the fisixth international conference , Tsakhadzor, september 18 - 20, 2007, pp. 71-74
Исследование температурного коэффициента энергии запрещенной зоны полупроводниковых наноструктур CdSe1-xSx
2007 | Article
Известия НАН Армении Физика т.42,N 1, ст. 9-16,2007
Study of spectral dependence of the absorption temperature coefficient of CdS1-xSex nanocrystals embedded in silicate glass
2005 | Article
Semiconductor mikro-and nanoelectronics,proceedings of the fifth international conference, Agveran, september 16 - 18, 2005, pp. 36-39
Study of behavior of band-gap energy temperature coefficient of CdS1-xSex nanocrystals embedded in silicate glass
2005 | Article
Semiconductor mikro - and nanoelectronics, proceedings of the fifth international conference, Agveran, september 16 - 18, 2005, pp. 40-43
L. Grigoryan , S. Petrosyan, P. Petrosyan , V. Bellani, F. Maglia
HREM, Raman and Optical Transmission stady of CdSe1-xSx nanocrystals embebbed in silicate glass
2004 | Article
Phys.status solidi /a/, V201, 2004, pp. 3023 - 3030
Սիլիկատային ապակում ձևավորված նանոբյուրեղների կառուցվածքի և ըստ չափերի բաշխման ուսումնասիրությունը էլեկտրոնային միկրոսկոպիայի«ռենտգենյան ճառագայթների և կոմբինացիոն ցրման մեթոդով
2003 | Article
Կիսահաղորդչային Միկրոէլեկտրոնիկա, Ազգային չոորորդ գիտաժողով, Ծաղկաձոր, 2003, 176
L.Grigoryan , S. Petrosyan, P.Petrosyan , V.Bellani, F.Maglia
Optical transmission spectra of silicate glass containing nanocrystallites of cadmium sulphoselenide
2003 | Article
The European Physical Journal B 34, 415-419 (2003)
Исследование кинетики роста микрокристаллов GdSe1-xSx в силикатном стекле
2002 | Article
ЖТФ 2002, т.72,в.8, ст. 49-54
Кинетика роста нанокристаллов в силикатном стекле
2001 | Article
Полупроводниковая микроэлектроника, Материалы третей национальной конференции, Севан, 2001
Influence of heat treatment on optical absorption in silicate glass containing microcristallites of cadmium sulphoselenide
2000 | Article
Conf. of Electrochem. Society, Toronto, 2000
Կիսահաղորդչային GdSe1-xSx պինդ լուծույթի հիման վրա ստեղծված կոմպոզիտ նյութերի օպտիկական հատկւթյունների ուսումնասիրությունը
1999 | Article
Կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկա, երկրորդ ազգային գիտաժողովի նյութեր, Դիլիջան, 1999թ., 212-215
Оптическое пропускание композитных пленок SiO2/GaAs, полученных методом лазерного напыления
1999 | Article
Изв. АН Арм.ССР, физика, 1999, т.34, в.6, с. 368-372
Оптическое пропускание композитных пленок SiO2/GaAs, полученных методом лазерного напыления
1994 | Article
ФТП, 1994, т.28, в.11, с. 1901-1905
Есаян Х. С., Пронин И. П., Варданян Г. А., Григорян Л. Н. , Петросян П. Г.
Нанесение и исследование сегнетоэлектрической пленки Pb (Zr,Ti) O3 на ВТСП подложку методом ВЧ - плазменного и лазерного распыления
1991 | Article
Письма в ЖТФ, 1991, т.21, в.21, с. 7-13
Варданян Г. А, Петросян П. Г. , Багдасарян Р. И., Григорян Л. Н.
Получение тонких пленок GdS лазерным распылением
1991 | Article
ФТП, 1991, т.25, в.2, с. 295-297
Есаян Х. С., Кандидова Г. А. , Петросян П. Г. , Григорян Л.Н.
Однофазные сегнетоэлектрические пленки Pb (Zr,Ti) O3 полученные методом лазерного распыления
1990 | Article
Письма в ЖТФ, 1990, т.16, в.22, с. 27-32
Механизм переключения и памяти в композитных пленках SiO2/Si
1989 | Article
Микроэлектроника,том 18, вып.1, 1989
Григорян Л. Н. , Елинсон М. И
Эффект переклячуния и энергонезависимой памяти в МДП структурах с диэлектриком содержащем избиток кремн
1987 | Article
Тез.докл.V конф. Проблемы МДП интегральной электроники.Драгобыч 1987
Терешин С.А., Бару В. Г., Григорян Л. Н
Свойства слойов SiO2 обогащонных Si используемых в элементах энергонезависимой памяти
1987 | Article
Тез.докл.I Всесоюз.конф. Физ.и физхим.основы микроэлектроники. Вилнюс 1987
Бару В. Г., Елинсон М.И , Григорян Л. Н.
Оптические свойства композитных слойов SiO2 содержфщих микрокристаллы Si
1987 | Article
Микроэлектроника,том 16, вып.5, 1987
Бару В. Г., Елинсон М. И , Григорян Л. Н.
Переключение и память в структурах Si- SiO2/Si- металл
1987 | Article
Микроэлектроника,том 16, вып.2, 1987
Арутюнян В. М., Петросян С. Г., Lyova N. Grigoryan
ЛПД с варизонной областью умножения
1986 | Article
Изв. АН СССР, ФИЗИКА, т. 21, вып. 1986
Терешин С. А., Григорян Л. Н.
Проблема надежности и энергонезависимой памяти в гетероструктурих SiO2 \\Si - металл
1986 | Article
Тез.докл.II Всесоюз.конф. Физ.основы надёжности и деградации п-п приборов. Кишинёв 1986
Арутюнян В. М., Петросян С. Г,, Григорян Л. Н.
Варизонный лавиннопролётный диод
1983 | Article
Тез. докл.V симпозиума.Плазма и неустойчивость в полупроводнтлах. Вилнюс 1983