Ֆիզիկայի ֆակուլտետ
Faculty of Physics
The process of training specialists in the field of physics and mathematics began in 1922 in YSU.:
>
Petik G. Petrosyan

Associate Professor | Academician Victor Ambardzoumyan's Chair of General Physics and Astrophysics
Education
Higher, 1976-1981 Faculty of Radio physics YSU, Radio physics and electronics, A. Ioffe. Physic technical Institute

Academic degree
[Candidate of phys. Math. Sciences, Study of diode structures in GaAsSbP solid solutions, in 1986, A. Ioffe. Physic technical Institute, Associate Professor

Professional experience
[1981-2014 YSU, Associate Professor

Academic courses
Electricity and magnetism, mechanics, optics, research and experimental methods for obtaining thin films

Scale of professional interests
Semiconductor thin films, production and optical properties of semiconductor nanostructures

Participation in grant
Semiconductor nano electronics` republic project

Languages
Russian, English

ppetros@ysu.am

Исследование поведение структурных дефектов в нанокристаллах CdSexS1-x
2017 | Article
Журнал технической физики (Technical Physics). 2017, т.87, вып.3, стр. 443-447
|
Մեխանիկայի ֆիզիկական հիմունքները
2015 | Book
Մեթոդական ձեռնարկի էլեկտրոնային տարբերակ

Նախատեսվում է ներկայացնել ԵՊՀ հրատարակչություն
|
Invesigation of the behavior of point defekts in CdSSe semiconductor nanocrystals
2015 | Thesis
Semiconductor micro-and nanoelectronics proceedings of the tenth international conference, 2015, 22-24 pp.
|
The nature of optical transition in the CdSxSe1-x semiconductor nanocristals
2015 | Thesis
Semiconductor micro-and nanoelectronics proceedings of the tenth international conference, 2015, p. 118-119
|
Effect of Random Potential on the Optical Properties of the CdSxSe1–x Semiconductor Nanocrystals
2015 | Article
Technical Physics, 2015, 60, 724-729 pp.
|
Study of optical absorption spectra of quantum size CdSe1-xSx crystals embedded in silicate glass
2013 | Article
Semiconductor mikro-and nanoelectronics,proceedings of the ninth international conference ,Yerevan,may24-26, 2013, pp129-130
Исследование температурной зависимости спектров пропускания силикатныõ стекол, содержащиõ полупроводниковые CdSe1-xSx нанокристаллы
2011 | Article
ЖТФ,т.81,в.11,ст.100-105,2011
Исследование температурной зависимости спектров пропускания силикатных стекол, содержащих полупроводниковые CdS1-xSex
2011 | Article
ЖТФ т. 81, в. 11, с. 100-105, 2011
Д. Седракян , П.Петросян , Л. Григорян, В. Бадалян
Исследование температурной зависимости спектров пропускания силикатных стекол, содержащих полупроводниковые CdSe1-xSx нанокристаллы
2011 | Article
ЖТФ,т.81,в.11,ст.100-105,2011
L. Grigoryan , P. Petrosyan , Н. Petrosyan , V. Bellani
Spectral dependence of the optical absorption temperature coefficient of CdSe1-xSx nanocrystals embeded in silicate glass
2008 | Article
Optics Communications, 281, 5838-5841, 2008
L. Grigoryan , P.Petrosyan , Н.Petrosyan , V. Bellani
Spectral dependence of the optical absorption temperature coefficient of CdSe1-xSx nanocrystals embeded in silicate glass
2008 | Article
Optics Communications,281,5838-5841,2008
L. Grigoryan , P. Petrosyan , M. Ghulinyan, H. Petrosyan
Spectral dependence of the photoluminescence of CdSe1-xSx nanocrystals embeded in silicate glass
2007 | Article
Semiconductor mikro - and nanoelectronics, proceedings of the fisixth international conference , Tsakhadzor, september 18 - 20, 2007, pp. 71-74
Исследование температурного коэффициента энергии запрещенной зоны полупроводниковых наноструктур CdSe1-xSx
2007 | Article
Известия НАН Армении Физика т.42,N 1, ст. 9-16,2007
Study of spectral dependence of the absorption temperature coefficient of CdS1-xSex nanocrystals embedded in silicate glass
2005 | Article
Semiconductor mikro-and nanoelectronics,proceedings of the fifth international conference, Agveran, september 16 - 18, 2005, pp. 36-39
Study of behavior of band-gap energy temperature coefficient of CdS1-xSex nanocrystals embedded in silicate glass
2005 | Article
Semiconductor mikro - and nanoelectronics, proceedings of the fifth international conference, Agveran, september 16 - 18, 2005, pp. 40-43
L. Grigoryan , S. Petrosyan, P. Petrosyan , V. Bellani, F. Maglia
HREM, Raman and Optical Transmission stady of CdSe1-xSx nanocrystals embebbed in silicate glass
2004 | Article
Phys.status solidi /a/, V201, 2004, pp. 3023 - 3030
Սիլիկատային ապակում ձևավորված նանոբյուրեղների կառուցվածքի և ըստ չափերի բաշխման ուսումնասիրությունը էլեկտրոնային միկրոսկոպիայի«ռենտգենյան ճառագայթների և կոմբինացիոն ցրման մեթոդով
2003 | Article
Կիսահաղորդչային Միկրոէլեկտրոնիկա, Ազգային չոորորդ գիտաժողով, Ծաղկաձոր, 2003, 176
L.Grigoryan , S. Petrosyan, P.Petrosyan , V.Bellani, F.Maglia
Optical transmission spectra of silicate glass containing nanocrystallites of cadmium sulphoselenide
2003 | Article
The European Physical Journal B 34, 415-419 (2003)
Исследование кинетики роста микрокристаллов GdSe1-xSx в силикатном стекле
2002 | Article
ЖТФ 2002, т.72,в.8, ст. 49-54
Кинетика роста нанокристаллов в силикатном стекле
2001 | Article
Полупроводниковая микроэлектроника, Материалы третей национальной конференции, Севан, 2001
Influence of heat treatment on optical absorption in silicate glass containing microcristallites of cadmium sulphoselenide
2000 | Article
Conf. of Electrochem. Society, Toronto, 2000
Կիսահաղորդչային GdSe1-xSx պինդ լուծույթի հիման վրա ստեղծված կոմպոզիտ նյութերի օպտիկական հատկւթյունների ուսումնասիրությունը
1999 | Article
Կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկա, երկրորդ ազգային գիտաժողովի նյութեր, Դիլիջան, 1999թ., 212-215
Оптическое пропускание композитных пленок SiO2/GaAs, полученных методом лазерного напыления
1999 | Article
Изв. АН Арм.ССР, физика, 1999, т.34, в.6, с. 368-372
A. M. Mashurian, G. T. Ovanesov, Z. A. Grigorian, P. G. Petrosian
Особенности изменения надмолекулярной структуры закристализованного полиэтилена при кратковременном отжиге (Կարճատև ջերմամշակման դեպքում պոլիէթիլենի վերմոլեկուլային կառուցվածքի փոփոխության առանձնահատկությունները)
1998 | Article
ԵՊՀ Գիտական տեղեկագիր, Բնական գիտություններ, 1998, #2, էջ 52-56 (ռուսերեն)
|
Оптическое пропускание композитных пленок SiO2/GaAs, полученных методом лазерного напыления
1994 | Article
ФТП, 1994, т.28, в.11, с. 1901-1905
Есаян Х. С., Пронин И. П., Варданян Г. А., Григорян Л. Н. , Петросян П. Г.
Нанесение и исследование сегнетоэлектрической пленки Pb (Zr,Ti) O3 на ВТСП подложку методом ВЧ - плазменного и лазерного распыления
1991 | Article
Письма в ЖТФ, 1991, т.21, в.21, с. 7-13
Варданян Г. А, Петросян П. Г. , Багдасарян Р. И., Григорян Л. Н.
Получение тонких пленок GdS лазерным распылением
1991 | Article
ФТП, 1991, т.25, в.2, с. 295-297
Вуль А.Я., Вуль С., Петросян П. , Сайдашев И.И
Полевой транзистор с Р-п переходом в качестве затвора на основе тврдых растворов GaAs1-xSbxPy
1991 | Article
ФТП, 1991, т.25, в.10, с. 1718-1720
Варданян Г.А., Петросян П. , Багдасарян Р.И., Григорян Л.Н.
Получение тонких пленок GdS лазерным распылением
1991 | Article
ФТП, 1991, т.25, в.2, с.295-297
Есаян Х. С., Кандидова Г. А. , Петросян П. Г. , Григорян Л.Н.
Однофазные сегнетоэлектрические пленки Pb (Zr,Ti) O3 полученные методом лазерного распыления
1990 | Article
Письма в ЖТФ, 1990, т.16, в.22, с. 27-32