Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ
Faculty of Radiophysics
The Faculty was established in June 1975 by decision of Armenian Government (USSR era) aiming to meet growing demand in radiophysicist in military, industrial, high technology and R&D sectors of the plan - economy.:
>
Babken O. Semerjyan

Junior Researcher | Chair of Semiconductor and Microelectronics
Education
1960 - 1964: Graduated from Yerevan State College of Informatics (Former Technical Secondary School of Electronic Computing Machines). Profession line “Electronic Computing Machines, Devices and Equipments”
Awarded qualification “Technician – Electro mechanic”
1965 - 1970: Graduated from Yerevan State University, Faculty of Physics; Chair of Ultrahigh – Frequency Radiophysics. Profession line “Radiophysics and Electronics”.
Awarded qualification “Radiophysicist”
1972 - 1976: Purpose–built post–graduate course (purpose aspirant) of “Scientific School – Laboratory of Nonequilibrium Processes in Semiconductors” in Physico-Technical Institute in the name of A.F.Ioffe of USSR Academy of Science. Sankt-Petersbourg (former Leningrad).
Awarded qualification “The Physics of Semiconductors and Dielectrics”.
2000: Certificate of Achievement Awarded for Participation in NGO Management Advanced Training Program. Armenian Assembly of America NGO Training and Resource Center.
2015: Attended Seminar – Training on “Recent Advances in Agilent Technologies: Molecular Spectroscopy Portfolio”. Seminar conducted by “Agilent Technologies” and “Concern-Energomash”

Professional Experience
1963 - 1965:Electronic – Computing Machine Technician – Electromechanic
at Department for elaboration of Electronic Computing Machine Devices (Laboratory of Reliability) in Yerevan Mathematical Research Institute in the name of S.N. Mergelyan.
1969 - 1971: Educational Laboratory Assistant at Chair of Ultrahigh – Frequency Radiophysics in Yerevan State University.
1971 - 1972 and 1976 - 2005: Research Worker at Research Laboratory of Semiconductor Materials and Devices in YSU
2005 - up to now: Research Worker at Center of Semiconductor Devices and Nanotechnologies in YSU.
1977 - up to now: Material Responsible of Chairs of Semiconductors and Microelectronics and Center of Semiconductor Devices and Nanotechnologies.

Academic courses teaching /Experience
“Pulse Technique” – course of lectures. Chair of Ultrahigh- Frequency Radiophysics in YSU.
“Electronic Methods and Instruments in Physical Experiment Measurements”–course of lecture. Chair of Nuclear Physics in YSU.
“Semiconductor Devices in Nuclear Physics “ –course of lectures. Chair of Nuclear Physics in YSU.
“Crystal physics” – laboratory research in Educational Laboratory Chair of Semiconductor Physics and Microelectronics in YSU.
“Ultrahigh – Frequency Semiconductor Devices” -laboratory research in Educational Laboratory. Chair of Semiconductor Physics and Microelectronics in YSU.

Main research interests/Experience
Investigation of nonequilibrium processes in new semiconductor materials and structures (photoluminescence, photoconductivity, gas sensitivity).
Researches of semiconductor structures morphology with porous surfaces by scanning electronic and optical microscopes.
Elaboration of microprocessor data-acquisition system with using graphic program environment for registration useful noise signal in noise background signal.

Current Research Interests
Investigation of gas sensitivity of nano-electronic gas sensors surface active layer by static resistance and noise characteristic methods in several working conditions.
Improvement the gas warning devices with resistive gas sensors characteristics (gas selectivity and sensitivity temperature stability).
Calibration of gas sensors for registration of small contents of gas addition in air-gas mixtures.

Member of several professional and non-professional organizations
  • Member of Armenian Society of Electron Microscopy.
  • Member of Commission on State employee admission to work in RA Department of Ecology.

    Participation to the International Scientific Projects and Grants
    International Science and Technology Center (ISCTC)
    Grant-Project # A - 322;
    International Science and Technology Center (ISCTC)
    Grant -Project # A - 1232;
    International Science and Technology Center (ISCTC)
    Grant -Project # A - 1951;
    Civilan Research and Development Foundation (CRDF)
    Grant -Project IPP - CRDF - ARP-2-2678-YE-05.

    Participation in Interesting Groups
    Guitar electronics and music, Photography.

    Languages
    Armenian, Russian, English

    semicsemer@ysu.am

  • Статические и щумовые характеристики нанокомпозитных газовых сенсоров
    2014 | Article
    Известия АН Арм. ССР. Физика. – 2014 г. – Т , 5c.
    Gas Detector Thermal Testing Chamber with on Trial Gas Mixtures
    2013 | Article
    Semiconductor Micro and Nanoelectronics. Proc. of the Ninth International Conference, May 24-26, Yerevan, Armenia, 2013, p. 91, p. 4
    Low-frequency noise special measurement chamber
    2011 | Article
    Semiconductor micro -and nanoelectronics. Proc. of the Eight International Conference. Yerevan, Armenia, July 1-3 2011,p. 6
    B. O. Semerjyan , A.E. Ckhachatryan
    Colour iridizations and backscattering electron imaging in the study of metal alloy microstructures
    2007 | Article
    Semiconductor micro -and nanoelectronics. Proc. of the Sixth International Conference. Tsakhkadzor, Armenia, pp. 184-187. September 18-20, 2007, p. 4
    Z.N. Adamian , B. O. Semerjyan , Kh.S. Martirosyan
    Aging of porous silicon based photoelectric structures
    2006 | Article
    Hydrogen energy.- Russia, 2006, т.6, вып.12. стр. 33, p. 4
    Stability of the photoluminescence decay kinetics and performance of porous silicon based photoelectric structures
    2005 | Article
    Proc. of the Second Renewable Energy Conf. “Energy for Future”, Yerevan, June 27-28, 2005, pp. 122-124, 2005
    Stability of the photoluminescence decay kinetics and performance of porous silicon based photoelectric structures
    2005 | Article
    Int. Sc. J. for Alternative Energy and Ecology ISJAEE, N12(32), 76-79, 2005
    Silicon photodiode as photosensitive capacitance
    2005 | Article
    Proc. of the Fifth International Conference on Semiconductor Nanoelectronics and Microelectronics, Yerevan 2005, p. 45, p. 4
    Семерджян Б. О , Мартиросян Х.С
    "Исследования методами СЭМ и локальной лазерной фотолюминесценции фотодиодных структур со слоем пористого кремния"
    2004 | Thesis
    Тезисы докладов XX Российской конференции "Электронная микроскопия", проведенной в г. Черноголовка. – 2004, c. 1
    Время-разрешенные спектры фотолюминесценции пористого кремния
    2003 | Article
    Материалы IV Национальной конференции "Полупроводниковая микроэлектроника", Цахкадзор, май 29-31, с. 125-128, 2003
    Semerjyan B. O , Semerjian A.B
    Investigation of Porous Surface Area Participating in Transcapillary Metabolism
    2001 | Thesis
    SCANNING.-2001.-Vol.23, N2. Proceedings of SCANNING 2001, New York, NY, USA, p, 1.
    Собирание фотогенерированных носителей из фоточувствитель-ных структур с p-n-переходом на основе кремния
    2001 | Article
    Материалы III национальной конференции. Дилиджан. -2001, c. 4.
    Study of the Porous Surface Microstruc-tures' Profile with the Method of Stereo-microgonio-metry in SEM
    2000 | Thesis
    Proceedings of the IX International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N4. Yerevan. 2000, p. 1
    SEM Beam backscattered Electron Multiplier Silicon Sensor
    1999 | Thesis
    Proceedings of the VIII International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N4. Yerevan. 1999, p. 1
    Стимулированные током оптические неоднородности в базе инжекционного фотодиода
    1999 | Article
    Материалы II национальной конференции. Дилиджан. – 1999, c. 4
    Quantitative Analysis of Surface Roughness by SEM
    1999 | Thesis
    Proceedings of the VIII International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N4. Yerevan. 1999, p. 1
    Creation of Submi-cron Structures and Devices by Photoelectron Lithography on SEM
    1998 | Thesis
    Proceedings of the VII International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N3. - Yerevan. 1998, p. 1
    Semerjyan B. O. , Semerjian А.В., Semerjian Z.B.
    Molecular Modeling of Aspirin, Paracetamol and Coffein by Computational Methods and Visualisation Program MAC SPARTAN
    1997 | Thesis
    Proceedings of the VI International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N2. Yerevan -Tsakhkadzor. 1997, p. 1
    О возможности использованная инжекционных фотодиодов для регистрации импульсного излучеия наносек-ундного диапозона
    1997 | Article
    Материалы I национальной конференции. Дилиджан. – 1997, c. 4
    Էլեկտրոնիկայի և լուսանկարչության վերաբերյալ հոդվածներ
    1997 | Thesis
    Տնային տնտեսության հանրագիտարան. -1997: "Հայաստանի Հանրագիտարան" հրատարակչություն, էջ 10
    Semerjyan B. O , Semerjian A.B
    SEM-imaginary Analysis by B/W Picture Structure Colour Video-coding
    1996 | Article
    Proceedings of the V • International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N1. Yerevan - Sevan. 1996, p. 2
    50 MeV Electron Bunch Irradiation Stability of Silicon IR Sensing Structures
    1995 | Thesis
    1sl International Conference on Application of Critical technologies for the Needs of Society. - 1995. -Yerevan, Armenia, p. 1
    New Performance Parameter of Microbeam Detection Arrangements og Low-Energy Charged Particles
    1995 | Thesis
    Proceedings of the IV International Meeting on Electron Microscopy. Yerevan - Sevan. 1995, p. 1
    Optical Double Beam Autobalance Gas Sensor's Photoelectric System Stability
    1994 | Article
    Proceedings of the 5th International Meeting on Chemical Sensors. - 1994. - Rome, Italy, p. 4
    Optical Gas Sensor with Photoelectric Receiver in Feedback Circuit
    1993 | Article
    Proceedings of East Asia Conference on Chemical Sensors (EACCS'93). -1993. - Fukuoka, Japan, p. 6
    Photosensitive structures Based on Silicon Having Deep Centers, which Have Been Irradiated with Streams of Fast Electrons
    1992 | Thesis
    Proceedings of the IV International Meeting on Sensors (Eurosensors VI). -1992.-San-Sebastian, Spain, p. 1
    Разработка и исследование высокочувствительных датчиков на основе кремния и сложных полупроводниковых соединений
    1991 | Article
    Отчет о научно-исследовательской работе. Гос. Коммитет по народному образованию и науке РА. ЕГУ-1991.-Гос. per. N0187.0010632. УДК: 621.315.59, c. 11
    Арутюнян В.М , Барсегян Р.С, Семерджян Б. О , Григорян Г.Е
    Фоточувствительные структуры на основе кремния с глубокими центрами, облученные потоками быстрых электронов
    1990 | Article
    Известия АН Арм. ССР. Физика. - 1990. -Т.25, вып. 1, c. 8
    Photosensitive structures based on silicon having deep centers, which have been irradiated with streams of fast electrons
    1990 | Article
    Soviet Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences) (Izvestija Akademii Nauk Armyanskoi SSR, Fizika). 1990. v.25, issue 1. Allerton Press Inc, p. 6
    Фотоемкостная спектроскопия атомов серы и дефектов термообработки
    1990 | Thesis
    Тезисы докладов. Всесоюзная конференция. Основные направления в области развития технологии, конструирования и исследования силовых полупроводниковых приборов. Ереван. – 1990, c. 1
    Фотоприемник из компенсированного кремния
    1990 | Article
    Каталог вузовских завершенных научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок, подлежащих внедрению. Мин высш. и средн. спец. образования. Арм. ССР. – 1990, c. 1
    Арутюнян B.M. , Барсегян Р.С, Семерджян Б. О , Григорян Г.Е, Заргарян В.Ш., Мхикян В.А
    Фоточувствительные структуры на основе кремния, легированного селеном
    1989 | Article
    Ученые записки ЕрГУ. -1989.-вып. 1, c. 6
    Haroutiunian V.M , Semerjyan B. O , Akhoyan Z.N, Barseghyan R.S
    Photocapacitive Spectroscopy of Sulfur Atoms and Heat Treatment Defects in n-Si
    1989 | Article
    Proceedings of the III International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in the Semiconductor Technology (GADEST'89). Solid State Phenomena. - 1989. - Vol. 6&7, Berlin, p. 6
    Арутюнян В.М , Барсегян Р.С, Семерджян Б. О , Григорян Г.Е
    Характеристики фотоприемников из кремния компенсированного серой, селеном и теллуром
    1989 | Thesis
    Тезисы докладов. Всесоюзная конференция. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -Ташкент. – 1989, c. 1
    Арутюнян В.М , Барсегян Р.С, Семерджян Б. О , Григорян Г.Е
    Параметры примесных центров, создаваемых при введении в кремний селена и теллура
    1988 | Article
    Известия АН Арм. ССР. Физика. - 1988. - Т.23, вып. 2, c. 7
    Barseghyan R.S, Semerjyan B. O , Grigoryan G.B
    Parameters of impurity centers created by insertion of Selenium and Tellurium into Silicon
    1988 | Article
    Soviet Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences) (Izvestija Akademii Nauk Armyanskoi SSR, Fizika). - 1988.- v.23,issue2. Allerton Press. Inc, p. 6
    Haroutiunian V.M. , Barseghyan R.S, Semerjyan B. O , Grigoryan G.B, Mkhikyan V.A
    Photoelecric properties of Selenium Doped p+-n-n+ Silicon Structure
    1988 | Article
    Proceedings of the IV International Conference on Infrared Physics (CIRP4). Zurich. Infrared Physics. -1988.-Vol.29, N2-4, p. 4
    Фоточувствительные структуры на основе кремния с глубокими центрами, облученные потоками быстрых электронов
    1988 | Article
    Микроэлектроника и промышленная электроника. Межвузовский тематический сборник научных трудов. Изд. ЕрПИ, Ереван. – 1988, c. 4
    Исследование фоточувствительных структур на основе примесного кремния
    1987 | Thesis
    Тезисы докладов. Конференция университетов закавказских республик. Тбилиси.- 1987, c. 1
    Радиационная физика устойчивости фоточувствительных структур на основе примесного кремния
    1987 | Article
    Доклад на Всесоюзной сессии секции ""Радиационная физика полупроводников" Научного совета по проблеме "Физика и химия полупроводников" Отделения общей физики и астрономии АН СССР, Ереван- Анкаван, 1987, c. 3
    Примесные фотоприемники на основе кремния, легированного серой
    1987 | Article
    Физика. Неравновесные процессы в полупроводниках. Межвузовский сборник научных трудов. - 1987. — вып.7, Изд. ЕрГУ, c. 18
    Исследование влияния облучения электронами различных доз на свойства полупроводниковых фотоприемников и преобразователей солнечной энергии
    1986 | Book
    Отчет по научно-исследовательской работе по хоз. договору ПД-18, проводимой в ЕГУ и в ЕрФИ для ЕрФИ, 1986, гос.рег. N 0186.0130298, УДК 621.383.4, c. 80
    Phenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S
    1986 | Article
    Proceedings of the III International Conference on Infrared Physics (CIRP3). Infrared Physics. - 1986. - Vol.26, N5, p. 6
    Электрофизические и фотоэлектри-ческие свойства кремния,легирован-ного серой
    1985 | Article
    Физика и техника полупроводников. -1985.-т. 19, вып. 12. ЦНИИ "Электроника" - спр. о деп. рукоп. N9827, c. 10
    Electrophysical and Photoelectrical Properties of Sulfur Doped Silicon
    1985 | Article
    Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika i Technika Poluprovodnikov). - 1985. -Vol.19, issue 12. Allerton Press. Inc, p. 9
    Исследование и разработка метода фотоемкостной спектроскопии для определения профиля распределения глубоких центров в полупроводниках
    1985 | Book
    Отчет по научно-исследовательской работе по хоз. договору ПД-17, проводимой в ЕГУ для СКВ ИРФЭ АН Арм. ССР, 1985, гос.рег. N0185.051340, УДК 621.383.4, c. 30
    Автоматический спектрометр на основе зеркального монохроматора
    1982 | Article
    Молодой научный работник. - 1982. -т. 18, вып.2, c. 4
    Семерджян Б. О , Кастальский A.A.
    Люминесценция полупроводников, вызванная разогревом носителей тока
    1977 | Thesis
    Тезисы докладов, III Всесоюзный симпозиум. Плазма и неустойчивости в полупроводниках. Вильнюс. – 1977, c. 1
    Семерджян Б. О , Кастальский A.A.
    Люминесценция полупроводников, вызванная разогревом носителей тока
    1976 | Article
    Физика твердого тела. - 1976. - т. 18, вып. 9, p. 3
    Kastalski A.A. , Semerjyan B. O.
    Semiconductors' luminescence induced by heating of current carriers
    1976 | Article
    Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika Tverdogo Tela). - 1976. - Vol.18, issue 9. Allerton Press. Inc., p. 3
    Семерджян Б. О , Кастальский A.A.
    Перегревная люминесценция в InSb
    1976 | Article
    Физика и техника полупроводников. -1976.-т. 10, вып. 9, c. 3
    Kastalski A.A., Semerjyan B. O.
    Overheating Luminescence in InSb
    1976 | Article
    Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika i Technika Poluprovodnikov). - 1976. -Vol.10, issue 9. Allerton Press. Inc., p. 3
    Семерджян Б. О. , Кастальский A.A.
    Перегревная люминесценция из p-n-перехода
    1976 | Article
    Физика твердого тела. - 1976. - т.20, вып. 1, c. 3
    Kastalski A.A., Semerjyan B. O
    Overheating Luminescence from p-n-junction
    1976 | Article
    Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika Tverdogo Tela). - 1976. - Vol.20, issue 1. Allerton Press. Inc., p. 3

    Contacts
    Contacts:

    Dean - Associate Member of NAS RA
    Yuri Vardanyan

    Dean's Office: (+374 60) 71-03-02
    (inner line 23-02),
    radiophys@ysu.am