Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ
Faculty of Radiophysics
The Faculty was established in June 1975 by decision of Armenian Government (USSR era) aiming to meet growing demand in radiophysicist in military, industrial, high technology and R&D sectors of the plan - economy.:
>
Zaven N. Adamyan

Senior Researcher | Chair of Semiconductor and Microelectronics
Education (beginning with IHE)
1955 - 1960 R. Melikyan specialized musical school
1963 - 1967 Graduated from Kiev Polytechnic Institute, Kiev, Ukraine, Faculty of Radioelectronics, Department of Dielectrics and Semiconductors
Specialization: Dielectrics and Semiconductors
Qualification: Electron techniques engineer
1975 - Candidate of Physical-Mathematical Sciences (Dr. of Physics), “Experimental and Theoretical Investigations of the Electrophysical Properties of Light-sensitive S-Diodes Based on Silicon Compensated with Zinc”, Yerevan State University
1982 - Title of Senior Scientist given by Presidium of USSR Academy of Sciences

Professional experience
1968 - 1988 Research Engineer, Senior Research Engineer, Scientist and then Senior Research Scientist at the Institute for Radiophysics and Electronics, NAN RA.
Since 1988 - up to now He works in YSU on the base of competitive contract: Head of the Sector of Silicon Semiconductor Devices at the Research Laboratory of Physics of Semiconductor Materials and Devices, Principal Staff Scientist, Manager of themes financed by Government of RA, and then Senior Scientific Researcher at the Center of Semiconductor Devices and Nanotechnologies.
2001 - 2004 Participated in ISTC A-322 project financed by the USA.
2004 Participated in research works fulfilled in the framework of the CRDF AEO-10829-YE-03-NREL AAT-3-32622-01 grant financed by the USA.
2004 - 2006 Participated in the works performed within the framework of the Armenian special scientific program “Semiconductor Nanoelectronics” (Code – 041030)
2006 - Participated in research works fulfilled in the framework of the CRDF ARE2-10838-YE-05-NREL AAT-5-55158-01 grant financed by the USA.
2006 - 2009 Participated in ISTC A-1232 project financed by EU and Republic of Korea

Main Research Interests/ Expertise
• Physics and processing technique of different semiconductor devices
• Thin films, thin-film nanostructured chemical and gas sensors
• Metal-oxides and silicon nanostructures
• Silicon infrared detectors and solar cells

Current research interests
• Research and development of metal-oxide and carbon one-dimensional nanostructured gas sensors technology
• Development of preproduction models for the gas sensors exhibited the best performance

Awards, Honors
2007 Armenian President Prize laureate for technical sciences and information technologies

Membership
• Member of Specialized Council on scientific degree awarding at Institute of Radiophysics and Electronics NAN RA since the Council foundation day
• In different time he was Member of advisory councils at Ministry of Economics and Ministry of Science and Education RA

Intellectual Property/Ownership
• A. Z. Adamyan, Z. N. Adamyan, V. M. Aroutiounian, H. V. Asriyan, Adsorption smoke detector, Armenian Patent No 1747 A2, 17.03.2004.
• A. Z. Adamyan, Z. N. Adamyan, V. M. Aroutiounian, A. H. Arakelyan, J. Turner, K. Touryan, Method of making nanocrystalline thin-film hydrogen sensor, Armenian Patent No 1747 A2, 15.03.2006.
• A. Z. Adamyan, Z. N. Adamyan, V. M. Aroutiounian, Method of making nanostructured low-temperature thin-film hydrogen sensor, Armenian Patent No AM2521A

Languages
Fluent in Russian, Armenian, good in English

(+374 10) 57-83-82
zad@ysu.am

Zaven Adamyan , Artak Sayunts, Vladimir Aroutiounian , Emma Khachaturyan , Arsen Adamyan, Martin Vrnata, Přemysl Fitl, Jan Vlček
Study of Propylene Glycol, Dimethylformamide and Formaldehyde Vapors Sensors Based on MWCNTs/SnO2 Nanocomposites
2017 | Article
Sensors & Transducers. 2017, Vol. 213, Issue 6, pp. 38-45
|
З. Н. Адамян , А. Г. Саюнц, Э. А. Хачатрян, В. М. Арутюнян
Исследование нанокомпозитных толстопленочных сенсоров паров бутанола
2016 | Article
Известия НАН РА. Физика. 2016, т. 51, N 2, стр. 192-201
|
V. M. Aroutiounian , A. Z. Adamyan, E. A. Khachaturyan , Z. N. Adamyan , K. Hernadi, Z. Pallai, Z. Nemeth, L. Forro, A. Magrez, E. Horvath
Study of the surface-ruthenated SnO2/MWCNTs nanocomposite thick-film gas sensors
2013 | Article
Sensors and Actuators B: Chemical, 177, (2013), 308-315
K. Hernadi, Z. Pallai, V. M. Aroutiounian , A. Z. Adamyan, E. A. Khachaturyan , Z. N. Adamyan , A. Magrez, L. Forro, Z. Nemeth
Synthesis and comparative characterization of SnO2-MWNT nanocomposite materials
2012 | Thesis
Book of Abstracts of 26th Intern. Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials: «Molecular Nanostructures», Kirchberg, Austria, 3-10 March, p. 59, 2012
V. M. Aroutiounian , A. Z. Adamyan, E. A. Khachaturyan , Z. N. Adamyan , K. Hernadi, Z. Pallai, Z. Nemeth, L. Forro, A. Magrez
Methanol and ethanol vapor sensitivity of MWCNT/SnO2/Ru nanocomposite structures
2012 | Thesis
Proc. of the 14th Intern. Meeting on Chemical sensors (IMCS 2012), Nuremberg, Germany, May 20-23, pp. 1085-1088, 2012; Booklet of the 14th Intern. Meeting on Chemical sensors (IMCS 2012), Nuremberg, Germany, May 20-23, P1.7.10, p. 170, 2012
On possibility of one-dimensional SnO2 nanostructures fabrication by superposition of different technologies
2011 | Article
Proc. of the Eight Int. Conf. Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Yerevan, Armenia, July 1-3, 2011, pp. 60-63
Low-resistance SnO2 thin-film hydrogen sensor operating at lower temperatures
2011 | Article
Proc. of the Eight Int. Conf. Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Yerevan, Armenia, July 1-3, 2011, pp. 109-112
Тонкопленочный сенсор водорода с улучшенной чувствительностью и стабильностью характеристик
2010 | Article
Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология», N 3, 118-124, 2010
Study of gas sensors based on nanostructured and porous semiconductors
2010 | Article
Proc. of the YSU RF 35 Anniversary Sci. Conf., Yerevan, 1-3 December, 2010, pp. 59-63
Development of program-controlled titania nanotube array formation technique
2009 | Thesis
Proc. of the Seventh Int. Conf. on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Tsakhcadzor, Armenia, July 3-5, 2009, pp. 168-171.
Study of specific ageing effect on the performance of thin-film H2 sensors
2009 | Article
Proc. of the Seventh Int. Conf. on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Tsakhcadzor, Armenia, July 3-5, 2009, pp. 75-78
A. Z. Adamyan , V. M. Aroutiounian , K. D. Schierbaum, S-D. Han
Improvement and stabilization of thin-film hydrogen sensors parameters
2009 | Article
Armenian Journal of Physics v. 2, N 3, 200-212, 2009
|
Study of sensitivity and response kinetics changes for SnO2 thin-film hydrogen sensors
2009 | Article
International Journal of Hydrogen Energy, v. 34, N19, 8438-8443, 2009
Z. N. Adamyan , V. M. Aroutiounian , A. Z. Adamyan, A. H. Arakelyan
Tin dioxide thin film hydrogen nanosensor
2008 | Article
Proceeding of SPIE Conference v.6943: Sensors, and Command, Control, Communications and Intelligence (C3I) Technologies for Homeland Security and Homeland Defense VII, 6943OJ-1-12, 2008
Z. N. Adamyan , A.Z. Adamyan, V.M. Aroutiounian , A. H. Arakelyan, J. Turner, K. Touryan
Sol-Gel Derived Thin-film Semiconductor Hydrogen Gas Sensor
2007 | Article
International Journal of Hydrogen Energy, v.32, N16, 4101-4108, 2007
Capacitance method for determination of basic parameters of porous silicon
2007 | Article
Physica E: Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 38, N1-2, 164-167, 2007
Z. N. Adamyan , A. Z. Adamyan, V. M. Aroutiounian , A. H. Arakelyan
Double-layer semiconductor gas-sensor advanced technology
2007 | Article
Proc. of the Sixth Int. Conf. on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Tsakhcadzor, Armenia, September 18-20, 2007, pp. 89-92
Capacitance method for determination of basic parameters of porous silicon
2007 | Article
Physica Status Solidi (C) 4, No 6, 1976-1980, 2007
Determination of basic parameters of porous silicon
2006 | Article
J. Phys. D: Appl. Phys. 39 (2006) 3543-3546
Z. N. Adamyan , A.Z. Adamyan, V.M. Aroutiounian , A. H. Arakelyan
Hydrogen and carbon monoxide gas sensing properties of sol-gel derived tin oxide thin films
2006 | Article
Proc. of the 18 Int. Meeting on Chemical Sensors, Brescia, Italy, 2006, AP132M (CD)
Z. N. Adamyan , A. Z. Adamyan, V. M. Aroutiounian , A. H. Arakelyan
Low temperature and highly sensitive thin-film hydrogen sensor
2006 | Article
Proc. of the XX Eurosensors, Göteborg, Sweden, 17-20 September 2006, T2A-P10, pp. 98-99
Золь-гель технологии получения чувствительных к водороду тонких пленок
2006 | Article
Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» АЭЭ, N 8(40), 24-30, 2006
Низкотемпературный высокочувствительный тонкопленочный сенсор водорода
2006 | Article
Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» АЭЭ, N 9(41), 11-16, 2006
Низкотемпературный высокочувствительный тонкопленочный сенсор водорода
2006 | Article
Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» АЭЭ, N 9(41), 11-16, 2006
A. Z. Adamyan, Z. N. Adamyan , V. M. Aroutiounian , A. H. Arakelyan, A. S. Stepanyan
Metal-oxide hydrogen sensor for fuel-cell applications
2006 | Article
Proceeding of the WHEC 16 / 13-16 June 2006 – Lyon France CD N183, pp. 1/5-5/5
Z. N. Adamyan , A. Z. Adamyan, V. M. Aroutiounian , A. H. Arakelyan
Low-temperature highly sensitive thin-film hydrogen sensor
2006 | Article
Proc. of the XX Eurosensors, Göteborg, Sweden, 17-20 September 2006, T2A-P10, pp. 98-99
Z.N. Adamian , B. O. Semerjyan , Kh.S. Martirosyan
Aging of porous silicon based photoelectric structures
2006 | Article
Hydrogen energy.- Russia, 2006, т.6, вып.12. стр. 33, p. 4
A. S. Stepanyan, V. M. Aroutiounian , A. Z. Adamyan, Z. N. Adamyan
On design of low power electronic nose control system
2005 | Article
Proc. of Engineering Academy of Armenia v. 2, N1, pp. 141-145, 2005
Емкостный метод определения параметров пористого кремния
2005 | Article
Известия НАН РА, Физика, 40, 4, с. 270-277, 2005
A. Z. Adamyan, A. P. Hakhoyan, Z. N. Adamyan , V. M. Aroutiounian
MgF2/Porous Silicon Double-Layer Antireflection Coating For Silicon Solar Cells
2005 | Article
Proc. of the Fifth Int. Conf. Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Agveran, September 16-18, 2005, Armenia, pp. 223-226, 2005
Stability of the photoluminescence decay kinetics and performance of porous silicon based photoelectric structures
2005 | Article
Proc. of the Second Renewable Energy Conf. “Energy for Future”, Yerevan, June 27-28, 2005, pp. 122-124, 2005
Stability of the photoluminescence decay kinetics and performance of porous silicon based photoelectric structures
2005 | Article
Int. Sc. J. for Alternative Energy and Ecology ISJAEE, N12(32), 76-79, 2005
А. С. Степанян, В. М. Арутюнян , З. Н. Адамян , А. З. Адамян, В. Г. Бархударян
Компенсационный датчик влажности на кварцевом резонаторе
2004 | Article
Известия НАН РА, Тех. Науки, 58, 3, с. 519-523, 2004
Стенд для измерений динамики абсолютного значения работы выхода полупроводников
2003 | Article
Материалы четвертой национальной конференции. Цахкадзор, 2003. (184-187)
Smoke sensor with overcoming of humidity cross sensitivity
2003 | Article
Sensors and Actuators B 93 (2003) pp. 416-421
Preparation of SnO2 films with thermally stable nanoparticles
2003 | Article
Symp. on "Sensor Science-13S 2003", Paris June 16-20, pp. 115-116, 2003
Z. N. Adamyan , V. M. Aroutiounian , A. P. Hakhoyan, A. Z. Adamyan, R. S. Barseghyan
Organic Vapors Sensors Based on Diode Structures with Porous Silicon Layer
2003 | Article
Proc. of the Eurosensors XVII, The 17-th European Conference of Solid-state Transducers, September 21-24, 2003, Guimaraes, Portugal, Guimaraes, Portugal, 400-401, 2003
Preparation of SnO2 films with thermally stable nanoparticles
2003 | Article
Sensors, 3, 438-442, 2003
Время-разрешенные спектры фотолюминесценции пористого кремния
2003 | Article
Материалы IV Национальной конференции "Полупроводниковая микроэлектроника", Цахкадзор, май 29-31, с. 125-128, 2003
Исследование возможности подавления влияния влажности при адсорбции дыма на поверхности полупроводника
2001 | Article
Известия НАН РА, Физика, 36, 1, 32-43, 2001
Адсорбционный детектор дыма на основе тонкопленочного сенсора из металлооксидного полупроводника
2001 | Article
Известия НАН РА, Физика, 36, 2, 88-93, 2001
Исследования полупроводниковых газовых сенсоров
2001 | Article
Сборник статей, посвященный 25-летию радиофизического факультета ЕГУ, Ереван, ЕГУ, 63-67, 2001
В. М. Арутюнян , А. П. Ахоян, З. Н. Адамян , Р. С. Барсегян
Лазерная имплантация и диффузия магния в кремний
2001 | Article
Журнал технической физики, 71, 2, 67-70, 2001
А. П. Ахоян, З. Н. Адамян , Р. С. Барсегян
Пленочные сенсоры паров э‎танола, полученные методом пульверизации с пиролизом
2001 | Article
Материалы 3-ей Национальной конференции “Полупроводниковая ‎электроника”, Севан, Армения, 10-12 сентября, 130-134, 2001
Ю. А. Абрамян, З. Н. Адамян , В. М. Арут‏юнян , Ф. В. Гаспарян , С. Г. Мартиросян, К. Н. Кочарян
Малошумящий высокочувствительный радиометр
2001 | Article
Изв. НАН РА и ГИУА, серия Технические науки, 54, 1, 141-147, 2001
V. M. Aroutiounian , Z. N. Adamyan , A. P. Hakhoyan, R. S. Barseghian, K. Touryan
Solar cells with porous silicon as antireflection layer
2001 | Article
Proc. SPIE on Solar and Switching Materials, San-Diego, USA, 1-2 August 2001, 4458, p. 1-9, 2001
A. P. Hakhoyan, V. M. Aroutiounian , Z. N. Adamyan , R. S. Barseghian, T. P. Dolukhanian
Room temperature ethanol sensor based on SnO2 films
2001 | Article
Proc. Int. Symp. on Environmental and Industrial Sensing, Boston, USA, 4576-39, pp. 227-233, 2001
З. О. Мхитарян, З. Н. Адамян
Низкочастотные шумы структур со слоем пористого кремния
2001 | Article
Материалы 3-ей Национальной конференции “Полупроводниковая ‎электроника”, Севан, Армения, 10-12 сентября, 246-249, 2001
Method and stand for investigation for parameters of porous semiconductors
1999 | Article
Proc. of the second National Conf, Dilijan, Armenia, 21-24 May, p.237-41,1999
The ponderomotor method of dielectrics investigation
1997 | Article
Proc. of the first Nationa Conf. Semiconductor microelectronics, Dilijan, Armenia, 22-23 May, p.65-67, 1997
О возможности использованная инжекционных фотодиодов для регистрации импульсного излучеия наносек-ундного диапозона
1997 | Article
Материалы I национальной конференции. Дилиджан. – 1997, c. 4
50 MeV Electron Bunch Irradiation Stability of Silicon IR Sensing Structures
1995 | Thesis
1sl International Conference on Application of Critical technologies for the Needs of Society. - 1995. -Yerevan, Armenia, p. 1
Optical Double Beam Autobalance Gas Sensor's Photoelectric System Stability
1994 | Article
Proceedings of the 5th International Meeting on Chemical Sensors. - 1994. - Rome, Italy, p. 4
Optical Gas Sensor with Photoelectric Receiver in Feedback Circuit
1993 | Article
Proceedings of East Asia Conference on Chemical Sensors (EACCS'93). -1993. - Fukuoka, Japan, p. 6
Photosensitive structures Based on Silicon Having Deep Centers, which Have Been Irradiated with Streams of Fast Electrons
1992 | Thesis
Proceedings of the IV International Meeting on Sensors (Eurosensors VI). -1992.-San-Sebastian, Spain, p. 1
Photosensitive structures based on silicon having deep centers, which have been irradiated with streams of fast electrons
1990 | Article
Soviet Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences) (Izvestija Akademii Nauk Armyanskoi SSR, Fizika). 1990. v.25, issue 1. Allerton Press Inc, p. 6
Фотоприемник из компенсированного кремния
1990 | Article
Каталог вузовских завершенных научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок, подлежащих внедрению. Мин высш. и средн. спец. образования. Арм. ССР. – 1990, c. 1
Silicon Photodetectors
1989 | Book
PH Yerevan State University, 1989, 362 pages, (In Russian)
Фоточувствительные структуры на основе кремния с глубокими центрами, облученные потоками быстрых электронов
1988 | Article
Микроэлектроника и промышленная электроника. Межвузовский тематический сборник научных трудов. Изд. ЕрПИ, Ереван. – 1988, c. 4
M. H. Azaryan , V. M. Harytynyan , Z. N. Adamyan , R. S. Barseghyan, F. V. Gasparyan , B. O. Semergian, Z. H. Mchitaryan, S.V.Melkonyan
Fenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S
1986 | Article
Infrared Pysics,1986, 26,5,p.267-272
Исследование планарных магниточувсвительных структур с помощью топограмм электрического поля
1986 | Article
Электронная техника, сер.2, Полупроводниковые приборы, вып.3(182), 1986.с.36-41
Photodetectors: Past, Present, Future
1986 | Book
PH “Hayastan”, Yerevan, 1986, 231 pages, (In Armenian)
Phenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S
1986 | Article
Proceedings of the III International Conference on Infrared Physics (CIRP3). Infrared Physics. - 1986. - Vol.26, N5, p. 6
Метод регистрации производной сигнала с сканирующего зонда
1985 | Article
ПТЭ,1985,13 с.174-176
Эксперименталъные наблюдения трансформации области с модулированной проводимостъю в планарных магнитодиодах в магнитном поле
1985 | Article
4 Всесоюзный симпозиум «Полупроводниковые магнитоуправляемые элементы и их применение». Абовян,1985г
Установка для исследований магниточувстви-телъных структур в магнитном поле
1985 | Article
4 Всесоюзный симпозиум «Полупроводниковые магнитоуправляемые элементы и их применение». Абовян,1985г. Май
Флуктуационные явления в диодах из компенсированного кремния
1983 | Article
Тез.докл.3 Всесоюзной конф. «Флуктуационные явления в физических системах», Вилънюс,1983,с.194-196
М. Г. Азарян , З. Н. Адамян , В. М. Арутюнян , С. Г. Мартиросян, В. О. Акунян
Емкостной зонд напряженности электрического поля
1983 | Article
Тез.докл. Республик.конф. ученых по физике. Бюракан,1983.
Метод измерения распределения напряженности электрического поля
1983 | Article
Тез.докл. Республик.конф. ученых по физике. Бюракан,1983
Исследование симметричных планарных структур из кремния, компенсированного цинком
1983 | Article
ФТП, 1983, Т.17, в.2, с.193-197
Импулъсное устройство для регистрации распределения напряженности электрического поля
1983 | Article
В материале А.с.(СССР), 1129562А, с.5.08.83 г.
Фотоприемники на основе симметричных структур кремния компенсированного цинком
1979 | Article
Тез.докл. Республик. конф. «Фотоэлектрические явления в полупроводниках». Ужгород, 1979, с.9-10