Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ
Faculty of Radiophysics
Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետը ստեղծվել է 1975 թ-ին:
>
Կարեն Մարտինի Ղամբարյան

Պրոֆեսոր | Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն
Կարգավիճակ
Ֆիզիկա-մաթեմատիկական գիտությունների դոկտոր, դոցենտ

Հիմնական հետազոտական նախընտրություններ / փորձագիտական ոլորտներ
Կիսահաղորդիչների և կիսահաղորդչային սարքերի ֆիզիկա և տեխնոլոգիա
A3B5 դասի կիսահաղորդչային միացությունների էպիտաքսիա
Էներգիայի ջերմաֆոտովոլտաիկ փոխակերպիչներ
Կիսահաղորդչային տվիչներ

Ընթացիկ հետազոտական նախընտրություններ
Նանոէլեկտրոնիկա և նանոտեխնոլոգիա
Միջին ինֆրակարմիր տիրույթի կիսահաղորդչային սարքեր

Կրթական կենսագրություն
1976 - 1981 թթ. - Երևանի պետական համալսարան, ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ
Մասնագիտություն` ռադիոֆիզիկա և էլեկտրոնիկա
Մասնագիտացում` կիսանաղորդիչների և դիէլեկտրիկների ֆիզիկա
1978 - 1981 թթ. - Երևանի պետական համալսարան, հասարակական մասնագիտությունների ֆակուլտետ` անգլերեն լեզու
1981 - 1984 թթ. - ԵՊՀ կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնի ասպիրանտուրա
1988 թ. - ֆիզիկա-մաթեմատիկական գիտությունների թեկնածու, ատենախոսություն` «Էլեկտրահեղուկային էպիտաքսիայի կիրառումը InAs–InP համակարգում վարիզոնային թաղանթների և դիոդային հետերոկառուցվածքների աճեցման համար», ՀՀ ԱԱ Ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ

Աշխատանքային և հետազոտական կենսագրություն
1996 թ.-ից մինչ այժմ ԵՊՀ կիսահաղորդչային սարքերի և նանոտեխնոլոգիաների կենտրոնի ավագ գիտաշխատող
2000 թ.-ից մինչ այժմ ԵՊՀ կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնի դոցենտ

Ակադեմիական կուրսեր / Դասավանդական և նախապատրաստական փորձառույթներ
1990 թ.-ից մինչ այժմ ԵՊՀ; Նյութագիտության ֆիզիկա-քիմիական հիմունքները; Կիսահաղորդիչ նյութերի, սարքերի և ԻՄ տեխնոլոգիայի ֆիզիկական հիմունքները;
Բարակ թաղանթների տեխնոլոգիա; Երկբևեռ տրանզիստորների ստեղծման տեխնոլոգիա
2004 - 2007 թթ. - Ռուս - Հայկական (Սլավոնական) համալսարան; Էլեկտրոնային տեխնիկայի նյութեր և տարրեր
1995 - 2005 թթ. - Երևանի Հայբուսակ համալսարան; Ընդհանուր ֆիզիկա

Շնորհներ և պատվոգրեր
"Who's Who in the World" - 2010 և 2011 թթ. (ԱՄՆ)
DAAD - 2007 և 2010 թթ. (Գերմանիա)
ANSEF - 2011 թ. (Նյու Յորք, ԱՄՆ)

Մասնագիտական և ոչ մասնագիտական կազմակերպությունների անդամակցում
Ոչ ավանդական և վերականգնվող էներգետիկայի ցանցի և համաշխարհային գիտաժողովների կազմկոմիտեի անդամ
Ամերիկայի քիմեական ընկերության անդամ - 2010 - 2011 թթ.

Միջազգային մենաշնորհների մասնակցություն
International Science and Technology Center (ISTC) Grant - Project # A-321
International Science and Technology Center (ISTC) Grant - Project # A-1232
Civilian Research and Development Foundation (CRDF) Grant - Project IPP-CRDF-ARP-2-010831-YE-04
Civilian Research and Development Foundation (CRDF) Grant - Project IPP-CRDF-ARE-2-010838-YE-05

Գիտաժողովների մասնակցություն, գիտական ուղևորություններ
1. Tyndall National Institute, University-College Cork, Ireland - 12-14 January 2011 (Invited Oral Presentation)
2. Leibnitz Institute for Crystal Growth (IKZ), Berlin, Germany - Guest Scientist (December 2010 - January 2011)
3. World Renewable Energy Congress (WREC-XI), Abu Dhabi, UAE, 25-30 September 2010 (Oral Presentation)
4. Villa Conference on Interaction among Nanostructures (VCIAN-2010), June 21-26, 2010, Santorini, Greece
5. Collaborative Conference on Interacting Nanostructures (CCIN-2009), November 9-13, San Diego, CA, USA. (Oral Presentation)
6. Leibnitz Institute for Crystal Growth (IKZ), Berlin, Germany - Guest Scientist (December 2007 - January 2008)
7. The International Workshop on Science and Technology for Non-Conventional Energy Sources: “Physics for Renewable Energy”. - ICTP, Trieste, Italy, 17–29 October, 2005 (Oral Presentation)
8. Ruhr-University of Bochum, Bochum, Germany - Guest Scientist (November-December 2004)
9. The Institute of Material Science and Engineering, University of Erlangen-Nurnberg, Erlangen, Germany, June 2002 (Oral Presentation)
10. The Institute of Physics, Humboldt University, Berlin, Germany, May 2002 (Oral Presentation)
11. Leibnitz Institute for Crystal Growth (IKZ), Berlin, Germany - Guest Scientist (April-June 2002)
12. The International School on Crystal Growth of Materials for Energy Production and Energy-Saving Application. ICTP, Trieste, Italy, 4–10 March 2001 (Oral Presentation)
13. The World Renewable Energy Congress-VI, 1-7 July, 2000, Brighton, UK (Poster Presentation)
14. The World Renewable Energy Network International Seminar in Britain: “Advancing Technology for Industralization and Sustainable Development”, 4-11 September, 1999, Brighton, UK (Oral Presentation)
15. The International Workshop on Materials Science and Physics of Non-Conventional Energy Sources. 18 September-6 October 1995, ICTP, Trieste, Italy

Լեզվական հմտություններ
Հայերեն, ռուսերեն, անգլերեն

kgambaryan@ysu.am

Optoelectronic properties of InAsSbP quantum dot photoconductive cells
2017 | Հոդված/Article
Eleventh International Conference “Semiconductor Micro- and Nanoelectronics”. 2017, p. 23-26
|
Competing nucleation of islands and nanopits in zinc-blend and wurtzit GaN-InN-AlN quaternary material system
2017 | Հոդված/Article
Eleventh International Conference “Semiconductor Micro- and Nanoelectronics”. p. 19-22
|
Narrow bandgap diode heterostructures and photoconductive cells with quantum dots for thermophotovoltaic and other mid-infrared applications
2017 | Թեզիս/Thesis
European Advanced Materials Congress (EAMC-2017). p. 15-16
Узкозонные фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе квантовых точек InAsSbP
2017 | Հոդված/Article
Известия НАН РА. Физика. 2017, 52. 1, стр. 60-67
|
Narrow Bandgap Mid-Infrared Photodetectors Based on InAsSbP Quantum Dots
2017 | Հոդված/Article
Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences). 2017, 52, 1, pp. 43-48
|
Magnetoresistance Aharonov–Bohm (MAB) oscillations in elongated quantum dots
2017 | Հոդված/Article
Journal of Physics: Conference Series. 2017, 829, 012021 pp.
Magnetoresistance Aharonov–Bohm oscillations in oblate ellipsoidal quantum dots
2017 | Հոդված/Article
Вестник Российско-Армянского Университета: Физико-математические и естественные науки. 2017, 1, стр. 85-90
Magnetoresistance Aharonov–Bohm oscillations in type-II InAsSbP ellipsoidal quantum dots
2016 | Թեզիս/Thesis
Applied Nanotechnology and Nanoscience International Conference (ANNIC-2016). 2016, p. 160
|
Narrow bandgap quantum dot mid-infrared photodetectors
2016 | Թեզիս/Thesis
EMN Dubai Meeting, Energy, Materials Nanotechnology. 2016, p. 19-20
|
R. Bansen, C. Ehlers, T. Teubner, K. Böttcher, K. Gambaryan , J. Schmidtbauer, T. Boeck
Silicon on glass grown from indium and tin solutions
2016 | Հոդված/Article
Journal of Photonics for Energy. 2016, 6(2), 025501 (10 pages)
The Growth and Characterization of InAsSbP Composition Semiconductor Epitaxial Strain-Induced Islands and Quantum Dots
2016 | Հոդված/Article
Հայաստանի ճարտարագիտական ակադեմիայի լրաբեր: 2016թ․, XIII (3), 96-103 էջ, Հայաստան
|
Competing nucleation of islands and nanopits in zinc-blend III-nitride quaternary material system
2016 | Հոդված/Article
Journal of Physics: Conference Series. 2016, 151, 012009 (4 pages)
Կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքների աճեցման տեխնոլոգիական մեթոդները
2015 | Գիրք/Book
Ուս. ձեռնարկ: «ԼԱԶԵՐՔՈՓԻ» ՍՊԸ, 2015թ․, 59 էջ
|
Aharonov-Bohm oscillations in type-II InAsSbP ellipsoidal quantum dots
2015 | Հոդված/Article
The tenth Intern. Conf. “Semiconductor Micro- and Nanoelectronics”, 2015-09-11, 17-19 pp.
|
Nanostructures Growth Features in GaInAlN Quasiternary Material System
2015 | Հոդված/Article
The Tenth International Conference on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, 2015-09-11, 101-103 pp.
|
InAsSbP Quantum Dot Mid-IR Photodetectors Operating at Room Temperature
2015 | Հոդված/Article
Infrared physics & technology, Netherlands, 2015թ․, 70, 12-14 pp.
Magnetoresistance and capacitance oscillations and hysteresis in type-II InAsSbP ellipsoidal quantum dots
2015 | Հոդված/Article
Journal of Physics D: Applied Physics, Great Britain, 2015, 48, 275302 (7pp)
Investigation of InAsSbP quantum dot mid-infrared sensors
2015 | Հոդված/Article
Journal of Sensors and Sensor Systems, Germany, 2015, 4, 249–253 pp.
|
Quantitative Analysing of InAsSbP Quantum Dots Size Distribution at Ostwald Ripening on InAs(100) substrate
2013 | Հոդված/Article
International Conference of Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Yerevan, Armenia, 2013, p.p. 120-122
Фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе четырех¬компонент-ных InAsSbP наноструктур
2012 | Հոդված/Article
Известия НАН Армении: Серия Физика, том. 47, вып. 3, с.с. 193-200, 2012 г
Quantum Dot Mid-Infrared Photodetectors Based on Quaternary InAsSbP Nanostructures.
2012 | Հոդված/Article
Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences), vol. 47, issue 3, p.p. 128-132, 2012
GaAsSbP Quasiternary Material System: Nanostructures Growth Features and Immiscibility Analysis
2012 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, vol. 5, issue 3, 2012,pp 156-163
Growth Features and Competing Nucleation of Quantum Dots-Nanopits Cooperative Structures in SiGeC Ternary System
2012 | Հոդված/Article
Journal of Contemporary Physics, vol. 47, No 4, 2012, p.p. 173-180
V. M. Aroutiounian , V. M. Arakelyan , E. A. Khachaturyan , G. E. Shahnazaryan , M. S. Aleksanyan, K. M. Gambaryan , E. Horvath, R. Smajda, L. Forro, A. Magrez
Manufacture and investigation of gas sensor made of carbon nanotube
2011 | Թեզիս/Thesis
Proc. of the 8th Intern. Conf. «Semiconductor Micro- and Nanoelectronics», Yerevan, Armenia, 1-3 July, pp. 14-18, 2011
V. M. Aroutiounian , V. M. Arakelyan , E. A. Khachaturyan , G. E. Shahnazaryan , M. S. Aleksanyan, K. M. Gambaryan , E. Horvath, R. Smajda, L. Forro, A. Magrez
Manufacture and investigation of gas sensor made of CNT/SnO2 tube
2011 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, v. 4, N 4, Armenia, pp. 206-210, 2011
Photovoltaic and Optoelectronic Properties of InAs(100)-based Photoconductive Cells with Quantum Dots and Nanopits
2011 | Հոդված/Article
Infrared Physics and Technology, vol. 54, issue 2, p.p. 114-120, March 2011. DOI:10.1016/j.infrared.2011.01.005
Growth Features and Competing Nucleation of Quantum Dots-Nanopits Cooperative Structures in SiGeC Ternary System
2011 | Հոդված/Article
International Conference of Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Yerevan, Armenia, 2011, p.p. 201-204
InAsSbP-based diode heterostructures and photoconductive cells with quantum dots for thermophotovoltaic and other mid-infrared applications
2011 | Հոդված/Article
Science and Technology Vision (ISESCO), February 2011. (World Renewable Energy Congress - WREC-XI, Special Technical Session (S2): Radiation and Solar Materials, p. 32, Abu Dhabi, UAE, 25-30 September 2010)
Competing Nucleation Mechanisms and Growth of InAsSbP Quantum Dots and Nano-Pits on the InAs(100) Surface
2010 | Հոդված/Article
Surface Science, vol. 604, issue 13-14, p.p. 1127-1134, 2010. DOI: 10.1016/j.susc.2010.03.027
K. M. Gambaryan , O. Marquardt, V. M. Aroutiounian , T. Hickel, J. Neugebauer
Growth process, characterization and optoelectronic properties of InAsSbP dot-pit cooperative nanostructures
2010 | Հոդված/Article
Villa Conference on Interactions among Nanostructures (VCIAN-2010), June 21-25, 2010, Santorini, Greece, Book of Abstracts, p. 36
Interaction and cooperative nucleation of InAsSbP quantum dots and pits on InAs(100) substrate
2010 | Հոդված/Article
Nanoscale Research Letters, vol. 5, issue 3, p.p. 587-591, 2010. DOI: 10.1007/s11671-009-9510-8.
Epitaxial growth and investigation of the InAsSbP-based pyramidal, lens-shape and ellipsoidal islands and quantum dots on InAs(100) substrate
2010 | Հոդված/Article
In: 35th Anniversary of the Department of Radiophysics of the Yerevan State University, Book of Invited Papers, 2010, p.p. 77-81.
Cooperative nucleation of strain-induced InAsSbP quantum dots and pits on InAs(100) substrate by liquid phase epitaxy
2009 | Հոդված/Article
In: “Semiconductor micro- and nanoelectronics”, Proceedings of the 7th International Conference, Tsakhcadzor, Armenia, July 3-5, 2009, p.p. 176-179
Nucleation mechanism of strain-induced InAsSbP quantum dots and pits at liquid phase epitaxy on InAs(100) substrate
2009 | Հոդված/Article
“Semiconductor micro- and nanoelectronics”, Proceedings of the 7th International Conference, Tsakhcadzor, Armenia, July 3-5, 2009, p.p. 164-167
Development of program-controlled titania nanotube array formation technique
2009 | Թեզիս/Thesis
Proc. of the Seventh Int. Conf. on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Tsakhcadzor, Armenia, July 3-5, 2009, pp. 168-171.
Interaction and cooperative nucleation of InAsSbP quantum dots and pits on InAs(100) substrate
2009 | Հոդված/Article
In Proceedings: “Collaborative Conference on Interacting Nanostructures” (CCIN-09), November 9-13, 2009, San Diego, CA, USA, “Springer”, Book of Abstracts, p. 22
Cooperative nucleation of strain-induced InAsSbP quantum dots and pits on InAs(100) substrate by liquid phase epitaxy
2009 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, v. 2, issue 4, 2009, p.p. 286-290.
Nucleation mechanism of strain-induced InAsSbP quantum dots and pits at liquid phase epitaxy on InAs(100) substrate
2009 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, v. 2, issue 4, 2009, p.p. 268-273.
|
Կիսահաղորդչային էպիտաքսիալ թաղանթների աճեցման տեխնոլոգիական մեթոդները
2008 | Գիրք/Book
Երևան, 2008 թ., 42 էջ
The Growth of InAs-Based Diode Heterostructures with Quantum Dots as a New Material for Thermophotovoltaic Application
2008 | Հոդված/Article
World Renewable Energy Congress (WREC-X), Glasgow, UK, 2008, pp. 1223-1228. (Editor A. Sayigh © 2008 WREC)
Overview of InAs-based III-V Compound and Si/Ge Semiconductor Epitaxial Strain-Induced Islands and Quantum Dots Grown by Liquid Phase Epitaxy
2008 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, volume 1, No. 4, 2008, p.p. 247-267
K. M. Gambaryan , V. M. Aroutiounian , T. Boeck, M. Schulze, P. G. Soukiassian
Strain-Induced InAsSbP Islands and Quantum Dots Grown by Liquid Phase Epitaxy on InAs(100) Substrate
2008 | Հոդված/Article
Journal of Physics D: Applied Physics (“Fast Track Communication”), Volume 41, Number 16, 162004 (5 pp), 21 August 2008
K. M. Gambaryan , V. M. Aroutiounian , A. K. Simonyan, A. K. Simonyan, T. Boeck
Shape Transition of Strain-Induced InAsSbP Islands at Liquid-Phase Epitaxy on InAs(100) Substrate: From Pyramid to Semiglobe
2008 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, volume 1, No. 3, 2008, p.p. 208-218
K. M. Gambaryan , P. G. Soukiassian, M. Silly, H. Enriquez, F. Charra, T. Boeck
Strain-Induced Quantum Wires and Quantum Dots Formation at Compound Semiconductors Surfaces
2008 | Հոդված/Article
The 12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-12). Weimar, Germany, 5-10 July, 2009, Book of Abstracts, p. 112
The Growth and Investigations of Indium Arsenide Based Diode Heterostructures for Mid-Infrared Application
2008 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, vol. 1, issue 1, 2008, p.p. 112-117
K.M. Gambaryan , V.M. Aroutiounian, A.K. Simonyan , T. Boeck
Shape Transition of Strain-Induced InAsSbP Islands at Liquid-Phase Epitaxy on InAs(100) Substrate: From Pyramid to Semi-globe
2008 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, vol. 1, issue 3, 2008, p.p. 208-218
The Growth and Investigations of Indium Arsenide Based Diode Heterostructures for Mid-Infrared Application
2007 | Թեզիս/Thesis
In: Proc. of The Sixth International Conference on Semiconductor Micro- and Nano-Electronics, Tsakhcadzor, Armenia, 16–18 September 2007, p.p. 123–126
V.A. Gevorkyan, K.M. Gambaryan , A.H. Arakelyan, M.S. Kazaryan , T. Boeck, P.M. Wilde
The Epitaxial Growth of Low Band-Gap InAs Based Diode Heterostructures For Thermo-Photovoltaic Application
2006 | Հոդված/Article
International Scientific Journal for Alternative Energy and Ecology, ISJAEE, vol. 34, issue 2, 2006, p.p. 47-50
V.A.Gevorkyan, K.M.Gambaryan , A.N.Arakelyan, M. S. Kazaryan , T. Boeck, P.M. Wilde
The epitaxial growth of low band-gap InAs based diode heterostructures for thermo-photovoltaic application
2005 | Հոդված/Article
Energy for future the second renewable energy conference, June 27-28, Yerevan, (2005)
V. A. Gevorkyan, K. M. Gambaryan , A. H. Arakelyan, M. S. Kazaryan , H.S. Chilingaryan, T. Boeck, P.M.Wilde
Narrow band-gap InAsPSb/InAs diode heterostructures for thermo-photovoltaic application
2005 | Հոդված/Article
The fifth international conference "Semiconductor micro- and nanoelectronics", pp. 207-210 (2005)
V.A. Gevorkyan, K.M. Gambaryan , A.H. Arakelyan, M.S. Kazaryan , T. Boeck, P.M. Wilde
The Epitaxial Growth of Low Band-Gap InAs Based Diode Heterostructures For Thermo-Photovoltaic Application
2005 | Թեզիս/Thesis
“ENERGY FOR FUTURE”; The Second Renewable Energy Conference, 27–28 June 2005, Yerevan, Armenia; Book of Abstracts, p. 39; Conference Proceedings, p.p. 111-114
V.A. Gevorkyan, K.M. Gambaryan , A.H. Arakelyan, M.S. Kazaryan , H.S. Chilingaryan, T. Boeck, P.M. Wilde
Low Band-Gap InAsPSb / InAs Diode Heterostructures for Thermo-Photovoltaic Application
2005 | Հոդված/Article
The Fifth International Conference on Semiconductor Micro- and Nano-Electronics, Aghveran, Armenia, 16–18 September 2005, p.p. 206-209
V.A.Gevorkyan, V.M.Aroutiounian , K.M.Gambaryan , M.S.Kazaryan , K.J.Touryan, M.W.Wanlass
Liquid -Phase Electroepitaxial Growth of Low Band - Gap p-InAsPSb/n-InAs and p-InAsP/n-InAs Diode Heterostructures for Thermo - Photovoltaic Application
2004 | Հոդված/Article
Thin Solid Films, v. 451-452, pp. 124-127(2004)
V. A. Gevorkyan, K.M.Gambaryan , M.S. Kazaryan , K.J.Touryan, M.W.Wanlass
Liquid-phase electroepitaxial growth of low band-gap p-InAsPSb/n-InAs and p-InAsP/n-InAs diode heterostructures for thermo-voltaic application
2004 | Հոդված/Article
E-MRS and Spring Meeting. Palais des congress-Strasburg, France, June 10-14 (2004)
V.A.Gevorkyan, V.M.Aroutiounian, K.M.Gambaryan , M.S.Kazaryan , K.J.Touryan, M.W.Wanlass
Liquid-phase electroepitaxial growth of low band-gap p-InAsPSb/n-InAs and p-InAsP/n-InAs diode heterostructures for thermo-voltaic application
2003 | Հոդված/Article
E-MRS Spring Meeting, Strasburg, France, (2003)
V.A. Gevorkyan, K.M.Gambaryan , M.S.Kazaryan , K.J.Touryan, M.W.Wanlass
Liquid-phase electroepitaxial growth of low band-gap p-InAsPSb/n-InAs and p-InAsP/n-InAs diode heterostructures for thermo-voltaic application
2003 | Թեզիս/Thesis
Proc. IV Nat. Conf. Semiconductor Microelectronics (2003), 156-159