Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ

Faculty of Radiophysics

Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետը ստեղծվել է 1975 թ-ին:

Սլավիկ Վոլոդյայի Մելքոնյան

Պրոֆեսոր | Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն

Կարգավիճակ
Ֆիզմաթ. գիտ. դոկտոր

Հիմնական հետազոտական նախընտրություններ (փորձագիտական ոլորտներ)
Ֆլուկտուացիոն երևույթները կիսահաղորդչային նյութերում և սարքերում
Մակերևութային երևույթներ

Ընթացիկ հետազոտական նախընտրություններ
Շարժունակության ֆլուկտուացիա

Կրթական կենսագրություն
1975 - 1980 թթ. ավարտել է Երևանի պետական համալսարանի ռադիոֆիզիկայի ֆալուլտետը
մասնագիտացում` ռադիոֆիզիկա և էլեկտրոնիկա
որակավորում` ռադիոֆիզիկոս
1982 - 1986 թթ. ավարտել է Երևանի պետական համալսարանի կիսահաղորդիչների ֆիզիկա և միկոէլեկտրոնիկա ամբիոնի ասպիրանտուրան
1990 թ. ֆիզմաթ. գիտ. թեկնածու, «Խորը մակարդակներով կոմպենսացված կիսահաղորդչից պատրաստաված p+nn+ կառուցվածքների աղմուկների վերլուծություն», Հայաստանի ԳԱԱ Ռադիոֆիզիկայի և Էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ
2007 թ. ֆիզմաթ. գիտ. դոկտոր, «Համասեռ կիսահաղորդիչներում էլեկտրոնների ցանցային շարժունակության ֆոնոնային հավասարակշիռ 1/f-ֆլուկտուացիաներ», Երևանի պետական համալսարան

Աշխատանքային և հետազոտական կենսագրություն
2007 թ-ից մինչև հիմա Երևանի պետական համալսարանի կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնի դոցենտ
1980 - 2006 թթ. Երևանի պետական համալսարանի կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնի գիտաշխատող

Ակադեմիական կուրսեր / Դասավանդական և նախապատրաստական փորձառույթներ
2007 թ.-ից մինչև հիմա Երևանի պետական համալսարան, կիսահաղորդիչների ֆիզիկա, կինետիկական երևույթները կիսահաղորդիչներում, ֆլուկտուացիոն երևույթները կիսահաղորդիչներում, կիսահաղորդիչների օպտիկական հատկությունները,
կիսահաղորդչային հետերոանցումներ, բյուրեղային դիէլեկտրիկների ֆիզիկա, պինդ մարմնի տեսության ներածություն

smelkonyan@ysu.am;

S. Melkonyan

Coulomb mechanism of Raman radiation in grapheme

2021 | Հոդված/Article

Carbon Letters, 2021, Vol. 31, Issue 5, p. 1051-1059

Slavik V. Melkonyan , Tigran A. Zalinyan, Sargis S. Melkonyan

Electron Mobility Non-Damping Fluctuations in Semiconductors

2018 | Հոդված/Article

Fluctuation and noise letters. 2018, Vol. 17, No 02, 1850018(1-15) pp.

S. V. Melkonyan

On the theory of intravalley Raman scattering in intrinsic graphene

2017 | Հոդված/Article

11th International Conference on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics (ICSMNE 2017). p. 9-13

T. A. Zalinyan, S. V. Melkonyan

Electron lattice mobility fluctuations in equilibrium semiconductors

2017 | Հոդված/Article

11th International Conference on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics (ICSMNE 2017). p. 14-18

Ս. Վ. Մելքոնյան

Կիսահաղորդիչների օպտիկայի հիմունքներ

2015 | Գիրք/Book

Ուս. ձեռնարկ: ԵՊՀ հրատ., 2015թ․, 155 էջ

S. V. Melkonyan

Non-Gaussian conductivity fluctuations in semiconductors

2010 | Հոդված/Article

Physica B, v. 405, N1, 2010, 379-385

S.V. Melkonyan , A. V. Surmalyan

Features of the electron mobility variance in homopolar semiconductors

2010 | Հոդված/Article

Journal of Contemporary. Physics (Armenian Academy of Sciences), v. 45, N6, 2010, 286-290

S. V. Melkonyan , A. P. Hakhoyan

Features of the refractive index of porous silicon with gradient porosity

2008 | Հոդված/Article

Armenian Journal of Physics, v. 1, 2008, 146-150

S. V. Melkonyan

On the low-frequency limit of the Schonfeld pulse 1/f-law

2008 | Հոդված/Article

Physica B, v. 403, N12, 2008, 2029-2035

S. V. Melkonyan , F. V. Gasparyan

Main sources of electron mobility fluctuations in semiconductors

2007 | Հոդված/Article

Noise and Fluctuations in Circuits, Devices and Materials; Ed. by Massimo Macucci, Lode K. Vandamme, Carmine Ciofi, Michael B. Weissman; Proc. of SPIE v.6600, 2007, 66001K-1 - 66001K-8.

Haroutiunian V.M , Adamyan Z.N , Barseghyan R.S, Semerjyan B. O , Melkonyan S.V

Photosensitive structures Based on Silicon Having Deep Centers, which Have Been Irradiated with Streams of Fast Electrons

1992 | Թեզիս/Thesis

Proceedings of the IV International Meeting on Sensors (Eurosensors VI). -1992.-San-Sebastian, Spain, p. 1

Arutyunyan V.M , Adamyan Z.N. , Barsegyan R.S, Semerdzhyan В.O. , Melkonyan R.A.

Photosensitive structures based on silicon having deep centers, which have been irradiated with streams of fast electrons

1990 | Հոդված/Article

Soviet Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences) (Izvestija Akademii Nauk Armyanskoi SSR, Fizika). 1990. v.25, issue 1. Allerton Press Inc, p. 6

M. H. Azaryan , V. M. Harytynyan , Z. N. Adamyan , R. S. Barseghyan, F. V. Gasparyan , B. O. Semergian, Z. H. Mchitaryan, S.V.Melkonyan

Fenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S

1986 | Հոդված/Article

Infrared Pysics,1986, 26,5,p.267-272

Haroutiunian V.M. , Adamyan Z.N. , Barseghyan R.S., Semerjyan B. O , Gasparyan F.V , Azaryan M.H , Mkhitaryan Z.H, Melkonyan S.V.

Phenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S

1986 | Հոդված/Article

Proceedings of the III International Conference on Infrared Physics (CIRP3). Infrared Physics. - 1986. - Vol.26, N5, p. 6