Babken O. Semerjyan
Biography
Education
1960 - 1964: Graduated from Yerevan State College of Informatics (Former Technical Secondary School of Electronic Computing Machines). Profession line “Electronic Computing Machines, Devices and Equipments”
Awarded qualification “Technician – Electro mechanic”
1965 - 1970: Graduated from Yerevan State University, Faculty of Physics; Chair of Ultrahigh – Frequency Radiophysics. Profession line “Radiophysics and Electronics”.
Awarded qualification “Radiophysicist”
1972 - 1976: Purpose–built post–graduate course (purpose aspirant) of “Scientific School – Laboratory of Nonequilibrium Processes in Semiconductors” in Physico-Technical Institute in the name of A.F.Ioffe of USSR Academy of Science. Sankt-Petersbourg (former Leningrad).
Awarded qualification “The Physics of Semiconductors and Dielectrics”.
2000: Certificate of Achievement Awarded for Participation in NGO Management Advanced Training Program. Armenian Assembly of America NGO Training and Resource Center.
2015: Attended Seminar – Training on “Recent Advances in Agilent Technologies: Molecular Spectroscopy Portfolio”. Seminar conducted by “Agilent Technologies” and “Concern-Energomash”

Professional Experience
1963 - 1965:Electronic – Computing Machine Technician – Electromechanic
at Department for elaboration of Electronic Computing Machine Devices (Laboratory of Reliability) in Yerevan Mathematical Research Institute in the name of S.N. Mergelyan.
1969 - 1971: Educational Laboratory Assistant at Chair of Ultrahigh – Frequency Radiophysics in Yerevan State University.
1971 - 1972 and 1976 - 2005: Research Worker at Research Laboratory of Semiconductor Materials and Devices in YSU
2005 - up to now: Research Worker at Center of Semiconductor Devices and Nanotechnologies in YSU.
1977 - up to now: Material Responsible of Chairs of Semiconductors and Microelectronics and Center of Semiconductor Devices and Nanotechnologies.

Academic courses teaching /Experience
“Pulse Technique” – course of lectures. Chair of Ultrahigh- Frequency Radiophysics in YSU.
“Electronic Methods and Instruments in Physical Experiment Measurements”–course of lecture. Chair of Nuclear Physics in YSU.
“Semiconductor Devices in Nuclear Physics “ –course of lectures. Chair of Nuclear Physics in YSU.
“Crystal physics” – laboratory research in Educational Laboratory Chair of Semiconductor Physics and Microelectronics in YSU.
“Ultrahigh – Frequency Semiconductor Devices” -laboratory research in Educational Laboratory. Chair of Semiconductor Physics and Microelectronics in YSU.

Main research interests/Experience
Investigation of nonequilibrium processes in new semiconductor materials and structures (photoluminescence, photoconductivity, gas sensitivity).
Researches of semiconductor structures morphology with porous surfaces by scanning electronic and optical microscopes.
Elaboration of microprocessor data-acquisition system with using graphic program environment for registration useful noise signal in noise background signal.

Current Research Interests
Investigation of gas sensitivity of nano-electronic gas sensors surface active layer by static resistance and noise characteristic methods in several working conditions.
Improvement the gas warning devices with resistive gas sensors characteristics (gas selectivity and sensitivity temperature stability).
Calibration of gas sensors for registration of small contents of gas addition in air-gas mixtures.

Member of several professional and non-professional organizations
  • Member of Armenian Society of Electron Microscopy.
  • Member of Commission on State employee admission to work in RA Department of Ecology.

    Participation to the International Scientific Projects and Grants
    International Science and Technology Center (ISCTC)
    Grant-Project # A - 322;
    International Science and Technology Center (ISCTC)
    Grant -Project # A - 1232;
    International Science and Technology Center (ISCTC)
    Grant -Project # A - 1951;
    Civilan Research and Development Foundation (CRDF)
    Grant -Project IPP - CRDF - ARP-2-2678-YE-05.

    Participation in Interesting Groups
    Guitar electronics and music, Photography.

    Languages
    Armenian, Russian, English

    semicsemer@ysu.am
  • Babken O. Semerjyan

    Junior Researcher | Faculty of Radiophysics - Chair of Semiconductor and Microelectronics
     
     

    Book

    Арутюнян В.М, Барсегян Р.С., Семерджян Б. О.

    Исследование влияния облучения электронами различных доз на свойства полупроводниковых фотоприемников и преобразователей солнечной энергии | Отчет по научно-исследовательской работе по хоз. договору ПД-18, проводимой в ЕГУ и в ЕрФИ для ЕрФИ, 1986, гос.рег. N 0186.0130298, УДК 621.383.4, c. 80

    Арутюнян В.М., Барсегян Р.С, Семерджян Б. О

    Исследование и разработка метода фотоемкостной спектроскопии для определения профиля распределения глубоких центров в полупроводниках | Отчет по научно-исследовательской работе по хоз. договору ПД-17, проводимой в ЕГУ для СКВ ИРФЭ АН Арм. ССР, 1985, гос.рег. N0185.051340, УДК 621.383.4, c. 30
     

    Article

    Р. В. Оганесян , Г. Д. Хондкарян, М. С. Алексанян, В. М. Аракелян, Б. О Семерджян, В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян

    Статические и щумовые характеристики нанокомпозитных газовых сенсоров | Известия АН Арм. ССР. Физика. – 2014 г. – Т , 5c.

    B. O. Semerjyan

    Gas Detector Thermal Testing Chamber with on Trial Gas Mixtures | Semiconductor Micro and Nanoelectronics. Proc. of the Ninth International Conference, May 24-26, Yerevan, Armenia, 2013, p. 91, p. 4

    F.V. Gasparyan, P.A.Varderesyan, B. O. Semerjyan

    Low-frequency noise special measurement chamber | Semiconductor micro -and nanoelectronics. Proc. of the Eight International Conference. Yerevan, Armenia, July 1-3 2011,p. 6

    B. O. Semerjyan, A.E. Ckhachatryan

    Colour iridizations and backscattering electron imaging in the study of metal alloy microstructures | Semiconductor micro -and nanoelectronics. Proc. of the Sixth International Conference. Tsakhkadzor, Armenia, pp. 184-187. September 18-20, 2007, p. 4

    Z.N. Adamian, B. O. Semerjyan, Kh.S. Martirosyan

    Aging of porous silicon based photoelectric structures | Hydrogen energy.- Russia, 2006, т.6, вып.12. стр. 33, p. 4

    Z. N. Adamyan, B. O. Semerjyan, Kh. S. Martirosyan

    Stability of the photoluminescence decay kinetics and performance of porous silicon based photoelectric structures | Proc. of the Second Renewable Energy Conf. “Energy for Future”, Yerevan, June 27-28, 2005, pp. 122-124, 2005

    Z. N. Adamyan, B.O. Semerjyan, Kh. S. Martirosyan

    Stability of the photoluminescence decay kinetics and performance of porous silicon based photoelectric structures | Int. Sc. J. for Alternative Energy and Ecology ISJAEE, N12(32), 76-79, 2005

    B. O. Semerjyan

    Silicon photodiode as photosensitive capacitance | Proc. of the Fifth International Conference on Semiconductor Nanoelectronics and Microelectronics, Yerevan 2005, p. 45, p. 4

    Б. О. Семерджян, Х. С. Мартиросян, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян

    Время-разрешенные спектры фотолюминесценции пористого кремния | Материалы IV Национальной конференции "Полупроводниковая микроэлектроника", Цахкадзор, май 29-31, с. 125-128, 2003

    Семерджян Б. О

    Собирание фотогенерированных носителей из фоточувствитель-ных структур с p-n-переходом на основе кремния | Материалы III национальной конференции. Дилиджан. -2001, c. 4.

    Семерджян Б. О

    Стимулированные током оптические неоднородности в базе инжекционного фотодиода | Материалы II национальной конференции. Дилиджан. – 1999, c. 4

    Адамян З.Н, Семерджян Б. О

    О возможности использованная инжекционных фотодиодов для регистрации импульсного излучеия наносек-ундного диапозона | Материалы I национальной конференции. Дилиджан. – 1997, c. 4

    Semerjyan B. O, Semerjian A.B

    SEM-imaginary Analysis by B/W Picture Structure Colour Video-coding | Proceedings of the V • International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N1. Yerevan - Sevan. 1996, p. 2

    Haroutiunian V.M, Adamyan Z.N, Semerjyan B. O.

    Optical Double Beam Autobalance Gas Sensor's Photoelectric System Stability | Proceedings of the 5th International Meeting on Chemical Sensors. - 1994. - Rome, Italy, p. 4

    Haroutiunian V.M, Adamyan Z.N, Semerjyan B. O.

    Optical Gas Sensor with Photoelectric Receiver in Feedback Circuit | Proceedings of East Asia Conference on Chemical Sensors (EACCS'93). -1993. - Fukuoka, Japan, p. 6

    Арутюнян В.М, Барсегян Р.С, Семерджян Б. О.

    Разработка и исследование высокочувствительных датчиков на основе кремния и сложных полупроводниковых соединений | Отчет о научно-исследовательской работе. Гос. Коммитет по народному образованию и науке РА. ЕГУ-1991.-Гос. per. N0187.0010632. УДК: 621.315.59, c. 11

    Арутюнян В.М, Барсегян Р.С, Семерджян Б. О , Григорян Г.Е

    Фоточувствительные структуры на основе кремния с глубокими центрами, облученные потоками быстрых электронов | Известия АН Арм. ССР. Физика. - 1990. -Т.25, вып. 1, c. 8

    Arutyunyan V.M, Adamyan Z.N., Barsegyan R.S, Semerdzhyan В.O., Melkonyan R.A.

    Photosensitive structures based on silicon having deep centers, which have been irradiated with streams of fast electrons | Soviet Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences) (Izvestija Akademii Nauk Armyanskoi SSR, Fizika). 1990. v.25, issue 1. Allerton Press Inc, p. 6

    Арутюнян В.М. , Гаспарян Ф.В, Семерджян Б. О , Барсегян Р.С, Адамян З.Н.

    Фотоприемник из компенсированного кремния | Каталог вузовских завершенных научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок, подлежащих внедрению. Мин высш. и средн. спец. образования. Арм. ССР. – 1990, c. 1

    Арутюнян B.M., Барсегян Р.С, Семерджян Б. О, Григорян Г.Е, Заргарян В.Ш., Мхикян В.А

    Фоточувствительные структуры на основе кремния, легированного селеном | Ученые записки ЕрГУ. -1989.-вып. 1, c. 6

    Haroutiunian V.M, Semerjyan B. O, Akhoyan Z.N, Barseghyan R.S

    Photocapacitive Spectroscopy of Sulfur Atoms and Heat Treatment Defects in n-Si | Proceedings of the III International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in the Semiconductor Technology (GADEST'89). Solid State Phenomena. - 1989. - Vol. 6&7, Berlin, p. 6

    Арутюнян В.М, Барсегян Р.С, Семерджян Б. О, Григорян Г.Е

    Параметры примесных центров, создаваемых при введении в кремний селена и теллура | Известия АН Арм. ССР. Физика. - 1988. - Т.23, вып. 2, c. 7

    Barseghyan R.S, Semerjyan B. O, Grigoryan G.B

    Parameters of impurity centers created by insertion of Selenium and Tellurium into Silicon | Soviet Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences) (Izvestija Akademii Nauk Armyanskoi SSR, Fizika). - 1988.- v.23,issue2. Allerton Press. Inc, p. 6

    Haroutiunian V.M., Barseghyan R.S, Semerjyan B. O, Grigoryan G.B, Mkhikyan V.A

    Photoelecric properties of Selenium Doped p+-n-n+ Silicon Structure | Proceedings of the IV International Conference on Infrared Physics (CIRP4). Zurich. Infrared Physics. -1988.-Vol.29, N2-4, p. 4

    Арутюнян B.M, Адамян 3.H, Барсегян Р.С., Семерджян Б. О

    Фоточувствительные структуры на основе кремния с глубокими центрами, облученные потоками быстрых электронов | Микроэлектроника и промышленная электроника. Межвузовский тематический сборник научных трудов. Изд. ЕрПИ, Ереван. – 1988, c. 4

    Арутюнян В.М, Барсегян Р.С, Семерджян Б. О.

    Радиационная физика устойчивости фоточувствительных структур на основе примесного кремния | Доклад на Всесоюзной сессии секции ""Радиационная физика полупроводников" Научного совета по проблеме "Физика и химия полупроводников" Отделения общей физики и астрономии АН СССР, Ереван- Анкаван, 1987, c. 3

    Арутюнян В.М, Барсегян Р.С, Семерджян Б. О

    Примесные фотоприемники на основе кремния, легированного серой | Физика. Неравновесные процессы в полупроводниках. Межвузовский сборник научных трудов. - 1987. — вып.7, Изд. ЕрГУ, c. 18

    Haroutiunian V.M., Adamyan Z.N., Barseghyan R.S., Semerjyan B. O, Gasparyan F.V, Azaryan M.H, Mkhitaryan Z.H, Melkonyan S.V.

    Phenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S | Proceedings of the III International Conference on Infrared Physics (CIRP3). Infrared Physics. - 1986. - Vol.26, N5, p. 6

    Арутюнян B.M. , Барсегян P. С, Семерджян Б. О

    Электрофизические и фотоэлектри-ческие свойства кремния,легирован-ного серой | Физика и техника полупроводников. -1985.-т. 19, вып. 12. ЦНИИ "Электроника" - спр. о деп. рукоп. N9827, c. 10

    Haroutiunian V.M. , Barseghyan R.S, Semerjyan B. O.

    Electrophysical and Photoelectrical Properties of Sulfur Doped Silicon | Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika i Technika Poluprovodnikov). - 1985. -Vol.19, issue 12. Allerton Press. Inc, p. 9

    Семерджян Б. О

    Автоматический спектрометр на основе зеркального монохроматора | Молодой научный работник. - 1982. -т. 18, вып.2, c. 4

    Семерджян Б. О , Кастальский A.A.

    Люминесценция полупроводников, вызванная разогревом носителей тока | Физика твердого тела. - 1976. - т. 18, вып. 9, p. 3

    Kastalski A.A. , Semerjyan B. O.

    Semiconductors' luminescence induced by heating of current carriers | Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika Tverdogo Tela). - 1976. - Vol.18, issue 9. Allerton Press. Inc., p. 3

    Семерджян Б. О , Кастальский A.A.

    Перегревная люминесценция в InSb | Физика и техника полупроводников. -1976.-т. 10, вып. 9, c. 3

    Kastalski A.A., Semerjyan B. O.

    Overheating Luminescence in InSb | Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika i Technika Poluprovodnikov). - 1976. -Vol.10, issue 9. Allerton Press. Inc., p. 3

    Семерджян Б. О. , Кастальский A.A.

    Перегревная люминесценция из p-n-перехода | Физика твердого тела. - 1976. - т.20, вып. 1, c. 3

    Kastalski A.A., Semerjyan B. O

    Overheating Luminescence from p-n-junction | Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika Tverdogo Tela). - 1976. - Vol.20, issue 1. Allerton Press. Inc., p. 3
     

    Thesis

    Семерджян Б. О , Мартиросян Х.С

    "Исследования методами СЭМ и локальной лазерной фотолюминесценции фотодиодных структур со слоем пористого кремния" | Тезисы докладов XX Российской конференции "Электронная микроскопия", проведенной в г. Черноголовка. – 2004, c. 1

    Semerjyan B. O, Semerjian A.B

    Investigation of Porous Surface Area Participating in Transcapillary Metabolism | SCANNING.-2001.-Vol.23, N2. Proceedings of SCANNING 2001, New York, NY, USA, p, 1.

    B. O. Semerjyan.

    Study of the Porous Surface Microstruc-tures' Profile with the Method of Stereo-microgonio-metry in SEM | Proceedings of the IX International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N4. Yerevan. 2000, p. 1

    B. O. Semerjyan

    SEM Beam backscattered Electron Multiplier Silicon Sensor | Proceedings of the VIII International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N4. Yerevan. 1999, p. 1

    B. O. Semerjyan

    Quantitative Analysis of Surface Roughness by SEM | Proceedings of the VIII International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N4. Yerevan. 1999, p. 1

    B. O. Semerjyan

    Creation of Submi-cron Structures and Devices by Photoelectron Lithography on SEM | Proceedings of the VII International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N3. - Yerevan. 1998, p. 1

    Semerjyan B. O., Semerjian А.В., Semerjian Z.B.

    Molecular Modeling of Aspirin, Paracetamol and Coffein by Computational Methods and Visualisation Program MAC SPARTAN | Proceedings of the VI International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N2. Yerevan -Tsakhkadzor. 1997, p. 1

    Բ. Օ. Սեմերջյան

    Էլեկտրոնիկայի և լուսանկարչության վերաբերյալ հոդվածներ | Տնային տնտեսության հանրագիտարան. -1997: "Հայաստանի Հանրագիտարան" հրատարակչություն, էջ 10

    Haroutiunian V.M, Adamyan Z.N, Semerjyan B. O, Barseghyan R.S

    50 MeV Electron Bunch Irradiation Stability of Silicon IR Sensing Structures | 1sl International Conference on Application of Critical technologies for the Needs of Society. - 1995. -Yerevan, Armenia, p. 1

    Haroutiunian V.M, Semerjyan B. O, Semerjian A.B.

    New Performance Parameter of Microbeam Detection Arrangements og Low-Energy Charged Particles | Proceedings of the IV International Meeting on Electron Microscopy. Yerevan - Sevan. 1995, p. 1

    Haroutiunian V.M, Adamyan Z.N, Barseghyan R.S, Semerjyan B. O, Melkonyan S.V

    Photosensitive structures Based on Silicon Having Deep Centers, which Have Been Irradiated with Streams of Fast Electrons | Proceedings of the IV International Meeting on Sensors (Eurosensors VI). -1992.-San-Sebastian, Spain, p. 1

    Арутюнян B.M., Барсегян Р.С, Семерджян Б. О.

    Фотоемкостная спектроскопия атомов серы и дефектов термообработки | Тезисы докладов. Всесоюзная конференция. Основные направления в области развития технологии, конструирования и исследования силовых полупроводниковых приборов. Ереван. – 1990, c. 1

    Арутюнян В.М, Барсегян Р.С, Семерджян Б. О , Григорян Г.Е

    Характеристики фотоприемников из кремния компенсированного серой, селеном и теллуром | Тезисы докладов. Всесоюзная конференция. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -Ташкент. – 1989, c. 1

    Арутюнян B.M, Барсегян Р.С, Семерджян Б. О.

    Исследование фоточувствительных структур на основе примесного кремния | Тезисы докладов. Конференция университетов закавказских республик. Тбилиси.- 1987, c. 1

    Семерджян Б. О , Кастальский A.A.

    Люминесценция полупроводников, вызванная разогревом носителей тока | Тезисы докладов, III Всесоюзный симпозиум. Плазма и неустойчивости в полупроводниках. Вильнюс. – 1977, c. 1