Ենթակառուցվածքներ | Գիտական կենտրոններ

Կիսահաղորդչային սարքերի եվ նանոտեխնոլոգիաների կենտրոն
Կիսահաղորդչային նյութերի և սարքերի ֆիզիկայի պրոբլեմային լաբորատորիան հիմնադրվել է 1959թ. ՍՍՀՄ գիտության և տեխնիկայի պետական կոմիտեի և Հայաստանի մինիստրների խորհրդի որոշումներով: 2007թ. Լաբորատորիան վերանվանվել է և այժմ կրում է «Կիսահաղորդչային սարքերի և նանոտեխնոլոգիաների» կենտրոն անվանումը:

Բնագավառը` Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա


Հետազոտությունների հիմնական ուղղությունները

Ներկայումս կենտրոնում մեծածավալ տեսական և փորձարարական գիտահետազոտական աշխատանքներ են տարվում.

  • բարձր զգայունությամբ և ընտրողունականությամբ օժտված տարբեր գազերի տվիչների,
  • արևի էներգիան ջրածնի քիմիական էներգիայի փոխակերպիչների,
  • ֆոտոընդունիչների, ծակոտկեն և նանոկառուցվածքների հիման վրա նոր կիսահաղորդչային սարքերի,
  • թերմոէլեմենտների մշակման և ստեղծման ուղղությամբ:


Արդիականությունը


Տրված պարամետրերով և չափսերով նանոկառուցվածքների ստեղծման պրոբլեմը համարվում է դարի կարևորագույն խնդիրներից մեկը, որի լուծումը հեղափոխություն կբերի էլեկտրոնիկայի, նյութագիտության, մեխանիկայի, քիմիայի, բժշկության և կենսաբանության մեջ: Այդպիսի նանոչափային համակարգերը, որոնցում կիսահաղորդչային սարքի ակտիվ տիրույթները փոքրացվում են մինչև նանոմետրական չափսերի, իրենցից ներկայացնում են ու կարող են դիտարկվել որպես նոր դասի կիսահաղորդչային նյութեր: Ժամանակակից գիտության առավել նշանակալի նվաճումներից է ածխածնային նանոխողովակների հայտնագործումը, որոնք իրենց գերփոքր չափսերի, գերազանց էլեկտրահաղորդականության, էմիսիոն բարձր բնութագրերը և ծակոտկենության շնորհիվ, կիրառելի կլինեն տարբեր չափիչ տեխնիկաներում, էլեկտրոնիկայում, նանոէլեկտրոնիկայում և այլն: Առանձնակի հետաքրքրություն են ներկայացնում նաև քվանտային կետեր ու քվանտային փոսեր պարունակող կառուցվածքները, որոնց հիման վրա ստեղծված սարքերը կարող են օգտագործվել որպես արեգակնային էներգիայի նոր տիպի փոխակերպիչների արդյունավետությունը բարձրացնող լրացուցիչ տարր, որպես ջերմային ճառագայթումով էլեկտրական էներգիայի փոխակերպիչներ, ինֆրակարմիր ճառագայթման տվիչներ և այլն: նանոչափային հատիկներով բարակթաղանթային կառուցվածքների օգտագործումը հնարավորություն կտա ստեղծել տարբեր գազերի բարձր ընտրողունակությամբ օժտված գերզգայուն, նվազ էներգատար սենսորներ, բազմասենսորային համակարգեր և կենսաբանական սենսորներ: Ակնհայտ է, որ վերը նշված ուղղություններով կատարվելիք գիտահետազոտական աշխատանքներն արդիական են և, բացի զուտ գիտական հետաքրքրությունից, ներկայացնում են իրական գործնական արժեք, քանի որ նախատեսվում է աշխատանքների մեծ մասն ավարտել գործող սարքի նմուշի ստեղծմամբ:


Նպատակները եւ խնդիրները

Կենտրոնում նախատեսվում է կատարել հետևյալ հետազոտություններն ու աշխատանքները.

    • Պինդֆազային ռեակցիայի միջոցով սինթեզել Fe2O3•ZnO, ZrO2•Fe2O3, ZnO•SnO2, Nb2O5•SnO2, In2O3•SnO2•TiO2•Ga2O3 մետաղօքսիդային կիսահաղորդչային միացություններ՝ դրանց հիման վրա բարձրհաճախային մագնետրոնային փոշեցրման եղանակով տարբեր գազերի բարակթաղանթային սենսորների ստեղծման նպատակով: Նախատեսվում է նշված միացություններից մետաղական տիտանի վրա ատանալ բարակ թաղանթներ և ուսումնասիրել դրանց՝ արեգակնային էներգիայի ֆոտոէլեկտրաքիմիական փոխակերպիչներում որպես ֆոտոանոդ օգտագործելու հնարավորությունը,
    • Ստեղծել ածխածնային նանոխողովակների և սինթեզված մետաղօքսիդային միացությունների համակցությամբ կատարելագործված պարամետրերով սենսորներ և բազմասենսորային համակարգեր,
    • Պլանավորվում է մշակել մետաղօքսիդային նանոմասնիկների և միապատ ու բազմապատ ածխածնային նանոխողովակների հիման վրա հաստթաղանթային նանոկոմպոզիտ հիբրիդ կառուցվածքների ստեղծման զոլ-ժել տեխնոլոգիան,
    • Նախատեսվում է վերը նշված նյութերի հիման վրա իրագործել տարբեր գազերի նկատմամբ զգայուն ցածրջերմաստիճանային էֆեկտիվ գազային տվիչներ, ինչպես նաև կենսաբանական սենսորներ,
    • Նախատեսվում է հեղուկային էպիտաքսիայի եղանակով InAs (100) տակդիրի վրա աճեցնել InAsSbP քառակոմպոնենտ բաղադրության գնդաձև, օղակաձև և էլիպսոիդալ քվանտային կետեր, հետազոտել և մշակել օղակաձև և էլիպսոիդալ քվանտային կետերի ստացման տեխնոլոգիական պայմանները, ինչպես նաև այդ նանոկառուցվածքների մորֆոլոգիայի` ձևի, չափսերի և մակերևույթային խտության կախվածությունը աճեցման տեխնոլոգիական պայմաններից,
    • Կհետազոտվի Օստվալդյան հասունացման պրոցեսը քվանտային կետերի սաղմնառաջացման ընթացքում: Կորոշվի քվանտային կետերի այն կրիտիկական չափը, երբ Օստվալդյան հասունացման ընթացքում գնդաձև քվանտային կետը սկսում է ձևափոխվել էլիպսոիդալի,
    • Ենթադրվում է այդ նանոկառուցվածքների հիման վրա ստեղծել միջին ինֆրակարմիր տիրույթի ֆոտոընդունիչներ ու հետազոտել դրանց վոլտ-ամպերային և վոլտ-ունակային բնութագրերը, ինչպես նաև մագնիսական հատկությունները ցածր` T=77K ջերմաստիճանում,
    • Էլաստիկ լարվածության մոդելի և ջերմադինամիկայի սկզբունքների օգնությամբ տեսականորեն կհետազոտվեն GaAs-GaSb-GaP, InAs-InSb-InP և Si-Ge-C եռաբաղադրիչ պինդ լուծույթների ֆազային դիագրամները, բաղադրիչների անհամատեղելիության տիրույթները կախված ջերմաստիճանից, ինչպես նաև քվանտային կետ-նանոխոռոչ կառուցվածքների սաղմնառաջացման կինետիկան,
    • Կսկսվեն աշխատանքներ կիսահաղորդիչ-հեղուկ բյուրեղ կառուցվածքների հիման վրա բևեռացնող դիֆրակցիոն ցանցեր գրելու և հետազոտելու ուղղությամբ: Կմշակվի վերոհիշյալ ցանցերի պատրատման տեխնոլոգիան և կչափվի ստացված բևեռացնող դիֆրակցիոն ցանցերի դիֆրակցիոն էֆեկտիվությունը,
    • Կուսումնասիրվեն էլեկտրական դաշտից էլեկտրոնների շարժունակության դիսպերսիայի կախման առանձնահատկությունները ուժեղ և թույլ էլեկտրական դաշտերի դեպքերում:



Տեխնիկական հագեցվածություն.

Գիտահետազոտական աշխատանքների կատարման համար կիսահաղորդչային սարքերի և նանոտեխնոլոգիաների կենտրոնում և կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնում առկա են համապատասխան տեխնոլոգիական բազա և չափիչ սարքավորումներ: Կիսահաղորդչային նմուշների պատրաստման և հետագա հետազոտման համար օգտագործվելու են էլեկտրահեղուկային էպիտաքսիայի СВЕТ-3 սարքը, գերմանական արտադրության ծրագրային կառավարմամբ բարձրջերմաստիճանային НТ04/16, СУОУЛ տիպի միջին ջերմաստիճանային, РЕПИД-1 դիֆուզիոն վառարանները, УВН-2 տիպի վակումային, ВУП-5 տիպի վակումային և էլեկտրոնային, УЛМЗ-279.040 իոնապլազմային փոշեցրման սարքերը, բարձրհաճախային մագնետրոնային փոշեցրման МБ-05 կայանքը, ֆոտոլիտոգրաֆիայի և համատեղման R404/88 սարքը, ջերմային ներզոդման եղանակով միկրոհպակների ստեղծման 4524ԱԴ բազմապրոցեսորային կայանքը, բարակ թաղանթների նստեցման WS-650MZ-23NPP/UD2 կենտրոնախույս մեքենան: Հավաքվել և կարգաբերվել է CVD եղանակով կիսահաղորդչային բարակ թաղանթների ստացման համակարգիչով ղեկավարվող կայանք: Նմուշների օպտիկական և էլեկտրաֆիզիկական պարամետրերի չափման համար կօգտագործվեն SPM-2, КСВУ-23 և ИКС-21 սպեկտրաֆոտոմետրերը, Cryomech ֆիրմայի PT-405 օպտիկական կրիոստատը:



Միջազգային համագործակցություն

 Կիսահաղորդչային սարքերի և նանոտեխնոլոգիաների կենտրոնը համագործակցում է և համատեղ աշխատանքներ ունի Սակլեի Միջուկային հետազոտությունների կենտրոնի (Ֆրանսիա, Փարիզ), Հենրիխ Հայնեի համալսարանի (Գերմանիա, Դյուսեդորֆ), ԱՄՆ-ի Վաշինգտոնի համալսարանի, ԱՄՆ-ի Beam Engineering for Advanced Measurements Co (South Orlando), Institute of Crystal Growth (IKZ, Գերմանիա, Բեռլին), Institute of Phys. of Semiconductors DAW (Գերմանիա, Բեռլին), Ֆեդերալ պոլիտեխնիկական դպրոցի (Լոզան, Շվեյցարիա), Szeged համալսարանի (Հունգարիա), Tyndall National Institute, University-Collage Cork (Քորք, Իռլանդիա), Aachen University of Julich (Գերմանիա) գիտահետազոտական կենտրոնի հետ, ինչը հնարավորություն է տալիս ժամանակակից թանկարժեք սարքավորումներ պահանջող հետազոտությունների մի մասն իրականացնել այդ կենտրոններում



Դրամաշնորհներ.

      • A-322 - Theoretical and experimental investigations of porous and oxide semiconductors and their interfaces with electrolyte or gas. Development and manufacture of gas sensors and high efficient photoconverters of solar energy into electricity or chemical energy based on such materials (2001-2004),
      • А-321 - Investigations of optical and photoelectric properties of the semiconductor - liquid crystal interface (2001-2004),
      • PS-53 - Theoretical and experimental investigations of 1/f noise in semiconductors (2003),
      • 04-PS-cheminorg-728-25 - New semiconductor photocatalysts for photoelectrochemical converters of solar energy (2004),
      • 04-PS-elec-716-9 - Theory of two-dimensional electron gas field-effect transistor (2004),
      • AEO-10829-YE-3 Hydrogen sensors (2004),
      • ARP2-10831-YE-04/AAT-4-44224-01 Lattice matched low bandgap III-V ternary heterostructure for thermophotovoltaic applications (2004-2006),
      • A-1232 - Synthesis and investigations of binary and multicomponent metal-oxide semiconductors for manufacture of chemical nanosensors and electronic nose arrays for monitoring of different toxic gases in environment and civilian defense (2006-2009),
      • CGP ARP2-2678-YE-05 - Phonons interface percolation dynamics and 1/f noise in semiconductor micro- and opto- electronic devices; applications in Noise Diagnostics and Sensing (2006-2008),
      • IPP/ISTC A-1957 Project (2011-2013):




Գիտական ղեկավար`
Վլադիմիր Միքայելի Հարությունյան, ֆիզմաթ գիտ. դոկտոր, պրոֆեսոր, ՀՀ ԳԱԱ ակադեմիկոս,
Վալերի Միքայելի Առաքելյան, ֆիզմաթ գիտ. թեկնածու, կետրոնի գործադիր տնօրեն:


Կենտրոնի կազմը`

Զավեն Նիկոլայի Ադամյան, ֆիզմաթ գիտ. թեկնածու, ավագ գիտ. աշխատող,
Միխաիլ Հրաչյայի Ազարյան, ֆիզմաթ գիտ. թեկնածու, ավագ գիտ. աշխատող,
Հակոբ Լևոնի Մարգարյան, ֆիզմաթ գիտ. թեկնածու, ավագ գիտ. աշխատող,
Արտյոմ Ընձակի Վահանյան, ֆիզմաթ գիտ. թեկնածու, ավագ գիտ. աշխատող,
Ֆերդինանդ Վազգենի Գասպարյան, ֆիզմաթ գիտ. դոկտոր, առաջ. գիտ. աշխատող,
Կարեն Մարտինի Ղամբարյան, ֆիզմաթ գիտ. թեկնածու, ավագ գիտ. աշխատող,
Սլավիկ Վոլոդյայի Մելքոնյան, ֆիզմաթ գիտ. դոկտոր, ավագ գիտ. աշխատող,
Միքայել Սերյոժայի Ալեքսանյան, ֆիզմաթ գիտ. թեկնածու, գիտ. աշխատող, Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնի ուսումնական լաբորատորիայի վարիչ,
Արծրուն Հովհաննեսի Առաքելյան, ֆիզմաթ գիտ. թեկնածու, գիտ. աշխատող,
Վարդան Գագիկի Հարությունյան, ֆիզմաթ գիտ. թեկնածու, գիտ. աշխատող,
Գնել Մկրտիչի Ստեփանյան, գիտ. աշխատող,
Գոհար Էմիլի Շահնազարյան, գիտ. աշխատող,
Էմմա Արսենի Խաչատուրյան, կրտսեր գիտ. աշխատող,
Մարգարիտա Սեմյոնի Ղազարյան, կրտսեր գիտ. աշխատող,
Բաբկեն Օգսենի Սեմերջյան, գիտ. աշխատող,
Արփինե Կորյունի Սիմոնյան, կրտսեր գիտ. աշխատող,
Նունե Հրանտի Հակոբյան, ավագ ինժեներ,
Գայանե Մամիկոնի Մամիկոնյան, ավագ ինժեներ,
Հայկազ Լևոնի Թոփչյան, տեխնիկ,
Հայկանուշ Ռաֆայելի Հովհաննիսյան, լաբորանտ



Հեռ.` (+374 60) 710315, 23-15 (ներքին)
ֆաքս` (+374 10) 555590
էլ.փոստ` kisahar@ysu.am, aroutiounv1@yahoo.com, avaleri@ysu.am
Ա | Բ | Գ | Դ | Ե | Զ | Է | Ը | Թ | Ժ | Ի | Լ | Խ | Ծ | Կ | Հ | Ձ | Ղ | Ճ | Մ | Յ | Ն | Շ | Ո | Չ | Պ | Ջ | Ռ | Ս | Վ | Տ | Ր | Ց | ՈՒ | Փ | Ք | Օ | Ֆ
Մասնագիտական խորհուրդներ
Գիտական հանդեսներ