Արփինե Կորյունի Սիմոնյան
Կենսագրություն
Կրթություն
2001-2005թթ.Երևանի Պետական Համալսարան, Ռադիոֆիզիկա և Էլեկտրոնիկա, Բակալկավրի աստիճան
2005-2007թթ.Երևանի Պետական Համալսարան, Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և Միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն, Մագիստրոսի աստիճան
2013 թ. ֆիզ. մաթ. գիտ. թեկնածու

Աշխատանքային գործունեություն
2007 մինչ այժմ Երևանի Պետական Համալսարան, Կիսահաղորդչային սարքերի ֆիզիկայի և նանոտեխնելեգիանների կենտրոն, կրտսեր գիտ. աշխատող

Գիտական հետաքրքրությունների շրջանակը
Si-Ge-C եռակոմպոնենտ և InAs-InSb-InP քառակոմպոնենտ համակարգերում քվանտային կետեր – նանոխոռոչներ աճի և առայացման մեխանիզմները քանակապես ուսումնասիրելու համար կիրառվում է կոնտինիում առաձգականության մե մեթոդը: Էներգիայի հաշվարկների հետ միասին, ստացված արդյունքները ցուըց են տվել, որ ցանցի անհամատեղելության նշանը և արժեքը կարևոր դեր են խաղում այս համակարգերում նանո օբյեկտների առաջացման մեջ: Մասնավորապես, քանակապես ցույց է տրվել, որ հատկապես ածխածնի կոնցենտրացիայի ներմուծումը և ավելացումը SiGe համակարգում բերում է կրիտիկական էնեգիայի և ծավալի փոքրացման, որից հետո քվանտային կետերը դառնում են կայուն: Հաշվարկվել է SiC երկկոմպոնենտ և SiGeC եռկոմպոնենտ համակարգերում լարվածության համար կրիտիկական արժեքը, երբ աճի մեխանիզմը քվանտային կետից անցնում է նանոխոռոչի ձևավորման: Նման հաշվարկներ կատարվել են նաև InAs-InSb-InP քառակոմպոնենտ համակարգի համար:
InAs(100) տակդիրի վրա InAsSbP կղզյակների ձևավոևման համար կիրառվում է հեղուկա ֆազային էպիտաքսիայի մեթոդը: Կղզյակի ծավալի փոքրացման դեպքում նկատվել է կղզյակի ձևի փոփոխություն: Քառակոմպոնենտ կղզյակերի ձևի փոփոխությունը <<բրգանմանից>> կիսագնդի դիտարկվել է նաև փորձնական ճանապարհով, ինչպես նաև բացատրվել և հաշվարկվել է տեսականորեն: Առաջարկված տեսական մոտեցումը կիրառվել է նաև Si(001) տակդիրի վրա SiGe կղզյակների աճի համար: Ցույց է տրված, որ երկու նյութերի համար էլ տեսականորեն հաշվարկված կրիտիկական արժեքները համընկնում են փորձնական տվյալների հետ:

Մասնակցությունը դրամաշնորհների
2011-2012 Հայկական Ազգային Գիտության Ֆոնդ

Անդամակցություն
7-րդ Միջազգային գիտաժողով Կիսահաղորդչային Միկրո- և Նանոէլեկտրոնիկա, Ծաղկաձոր, 3-5 հուլիս, 2009
8-րդ Միջազգային գիտաժողով Կիսահաղորդչային Միկրո- և Նանոէլեկտրոնիկա, Երևան, 3-5 հուլիս, 2011
9-րդ Միջազգային գիտաժողով Կիսահաղորդչային Միկրո- և Նանոէլեկտրոնիկա, Երևան, 2013

Գիտաժողով
Նանոտրիբոլոգիա, Տրիեստե, Իտալիա, 12-17 սեպտեմբեր, 2011

Լեզուներ
հայերեն,անգլերեն,ռուսերեն

a.simonyan@ysu.am

Արփինե Կորյունի Սիմոնյան

Կրտսեր գիտաշխատող | Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ - Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն
 
 

Հոդված/Article

A. K. Simonyan, K. M. Gambaryan, V. M. Aroutiounian

Nanostructures Nucleation Features and Miscibility Analysis in Zinc-Blend and Wurtzite GaN-InN-AlN Material System | Journal of Nanoscience and Technology, 2017, 3(2), 253-255 pp. |

Arpine K. Simonyan, Karen M. Gambaryan, Vladimir M. Aroutiounian

Growth features and nucleation mechanism of Ga1-x-yInxAlyN material system on GaN substrate | Advances in Nano Research, 2017, Vol. 5, No 4, 303-311 pp. |

Karen Ghambaryan, Arpine Simonyan, Eran Baghiyan

Competing nucleation of islands and nanopits in zinc-blend and wurtzit GaN-InN-AlN quaternary material system | Eleventh International Conference “Semiconductor Micro- and Nanoelectronics”. p. 19-22 |

K. M. Gambaryan, V. M. Aroutiounian, A. K. Simonyan, L. S. Yeranyan

Competing nucleation of islands and nanopits in zinc-blend III-nitride quaternary material system | Journal of Physics: Conference Series. 2016, 151, 012009 (4 pages)

K. M. Gambaryan, A. K. Simonyan

Nanostructures Growth Features in GaInAlN Quasiternary Material System | The Tenth International Conference on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, 2015-09-11, 101-103 pp. |
1   2   3  |  Տեսնել բոլորը