Սլավիկ Վոլոդյայի Մելքոնյան
Կենսագրություն
Կարգավիճակ
Ֆիզմաթ. գիտ. դոկտոր

Հիմնական հետազոտական նախընտրություններ (փորձագիտական ոլորտներ)
Ֆլուկտուացիոն երևույթները կիսահաղորդչային նյութերում և սարքերում
Մակերևութային երևույթներ

Ընթացիկ հետազոտական նախընտրություններ
Շարժունակության ֆլուկտուացիա

Կրթական կենսագրություն
1975 - 1980 թթ. ավարտել է Երևանի պետական համալսարանի ռադիոֆիզիկայի ֆալուլտետը
մասնագիտացում` ռադիոֆիզիկա և էլեկտրոնիկա
որակավորում` ռադիոֆիզիկոս
1982 - 1986 թթ. ավարտել է Երևանի պետական համալսարանի կիսահաղորդիչների ֆիզիկա և միկոէլեկտրոնիկա ամբիոնի ասպիրանտուրան
1990 թ. ֆիզմաթ. գիտ. թեկնածու, «Խորը մակարդակներով կոմպենսացված կիսահաղորդչից պատրաստաված p+nn+ կառուցվածքների աղմուկների վերլուծություն», Հայաստանի ԳԱԱ Ռադիոֆիզիկայի և Էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ
2007 թ. ֆիզմաթ. գիտ. դոկտոր, «Համասեռ կիսահաղորդիչներում էլեկտրոնների ցանցային շարժունակության ֆոնոնային հավասարակշիռ 1/f-ֆլուկտուացիաներ», Երևանի պետական համալսարան

Աշխատանքային և հետազոտական կենսագրություն
2007 թ-ից մինչև հիմա Երևանի պետական համալսարանի կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնի դոցենտ
1980 - 2006 թթ. Երևանի պետական համալսարանի կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնի գիտաշխատող

Ակադեմիական կուրսեր / Դասավանդական և նախապատրաստական փորձառույթներ
2007 թ.-ից մինչև հիմա Երևանի պետական համալսարան, կիսահաղորդիչների ֆիզիկա, կինետիկական երևույթները կիսահաղորդիչներում, ֆլուկտուացիոն երևույթները կիսահաղորդիչներում, կիսահաղորդիչների օպտիկական հատկությունները,
կիսահաղորդչային հետերոանցումներ, բյուրեղային դիէլեկտրիկների ֆիզիկա, պինդ մարմնի տեսության ներածություն

smelkonyan@ysu.am;

Սլավիկ Վոլոդյայի Մելքոնյան

Պրոֆեսոր | Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ - Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն
 
 

Գիրք/Book

Ս. Վ. Մելքոնյան

Կիսահաղորդիչների օպտիկայի հիմունքներ | Ուս. ձեռնարկ: ԵՊՀ հրատ., 2015թ․, 155 էջ |
 

Հոդված/Article

Slavik V. Melkonyan, Tigran A. Zalinyan, Sargis S. Melkonyan

Electron Mobility Non-Damping Fluctuations in Semiconductors | Fluctuation and noise letters. 2018, Vol. 17, No 02, 1850018(1-15) pp. |

S. V. Melkonyan

On the theory of intravalley Raman scattering in intrinsic graphene | 11th International Conference on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics (ICSMNE 2017). p. 9-13 |

T. A. Zalinyan, S. V. Melkonyan

Electron lattice mobility fluctuations in equilibrium semiconductors | 11th International Conference on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics (ICSMNE 2017). p. 14-18 |

S. V. Melkonyan

Non-Gaussian conductivity fluctuations in semiconductors | Physica B, v. 405, N1, 2010, 379-385

S.V. Melkonyan, A. V. Surmalyan

Features of the electron mobility variance in homopolar semiconductors | Journal of Contemporary. Physics (Armenian Academy of Sciences), v. 45, N6, 2010, 286-290

S. V. Melkonyan, A. P. Hakhoyan

Features of the refractive index of porous silicon with gradient porosity | Armenian Journal of Physics, v. 1, 2008, 146-150

S. V. Melkonyan

On the low-frequency limit of the Schonfeld pulse 1/f-law | Physica B, v. 403, N12, 2008, 2029-2035

S. V. Melkonyan, F. V. Gasparyan

Main sources of electron mobility fluctuations in semiconductors | Noise and Fluctuations in Circuits, Devices and Materials; Ed. by Massimo Macucci, Lode K. Vandamme, Carmine Ciofi, Michael B. Weissman; Proc. of SPIE v.6600, 2007, 66001K-1 - 66001K-8.

Arutyunyan V.M, Adamyan Z.N., Barsegyan R.S, Semerdzhyan В.O., Melkonyan R.A.

Photosensitive structures based on silicon having deep centers, which have been irradiated with streams of fast electrons | Soviet Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences) (Izvestija Akademii Nauk Armyanskoi SSR, Fizika). 1990. v.25, issue 1. Allerton Press Inc, p. 6

M. H. Azaryan, V. M. Harytynyan, Z. N. Adamyan, R. S. Barseghyan, F. V. Gasparyan, B. O. Semergian, Z. H. Mchitaryan, S.V.Melkonyan

Fenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S | Infrared Pysics,1986, 26,5,p.267-272

Haroutiunian V.M., Adamyan Z.N., Barseghyan R.S., Semerjyan B. O, Gasparyan F.V, Azaryan M.H, Mkhitaryan Z.H, Melkonyan S.V.

Phenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S | Proceedings of the III International Conference on Infrared Physics (CIRP3). Infrared Physics. - 1986. - Vol.26, N5, p. 6
 

Թեզիս/Thesis

Haroutiunian V.M, Adamyan Z.N, Barseghyan R.S, Semerjyan B. O, Melkonyan S.V

Photosensitive structures Based on Silicon Having Deep Centers, which Have Been Irradiated with Streams of Fast Electrons | Proceedings of the IV International Meeting on Sensors (Eurosensors VI). -1992.-San-Sebastian, Spain, p. 1